本发明公开了超临界法包覆用30～80目NTO晶体缺陷快速测评方法。用显微拉曼光谱法随机测试10个NTO颗粒1104cm‑1处特征峰的半高峰宽，计算相对实验标准偏差RSD，排除仪器本身信号波动的影响，可以定量评价NTO晶体缺陷程度。用超临界法包覆NTO晶体制备PBX造型粉，最后泄压时，晶体缺陷较大的30目NTO晶体易破碎、粒度变小，会改变造型粉中NTO颗粒级配的比例。用本方法可筛选缺陷较少的NTO晶体，适用于超临界法包覆的PBX造型粉，压制出合格的PBX药柱。