阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置
摘要:
本发明公开了一种阵列基板的制备方法,包括以下步骤:在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层和金属层;在所述金属层上形成光刻掩膜,所述光刻掩膜的厚度范围为1.7μm-1.8μm;利用掩膜板对所述光刻掩膜进行曝光,并使所述掩膜板的半曝光区内的所述光刻掩膜的均匀度达到预设均匀度;基于曝光后的所述光刻掩膜制备形成阵列基板。本发明还公开了一种阵列基板以及显示装置。本发明提高了阵列基板的稳定性。
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