本发明涉及在等离子体增强工艺中连续处理卷材基材(15a)的装置(10)。装置(10)包含有真空处理室的至少一个处理站(12a,12b)，其中将设计成在处理室内形成等离子体区(14a,14b)以处理卷材基材(15a)表面的至少一个等离子体处理单元(13a,13b)分配给至少一个处理站(12a,12b)。装置(10)还包括连续输送卷材基材(15a,15b)通过至少一个处理站(12a,12b)的具有退绕辊(20)和重绕辊(21)的输送系统，其中输送系统限定卷材基材(15a)通过处理室的输送路径。等离子体处理单元(13a,13b)包含至少一个扩展天线和将所述扩展天线激励到其至少一个谐振频率的至少一个射频发生器，其中处理室中的输送路径限定卷材基材(15a)的处理路径段(15a)，其中卷材基材(15a)的处理路径段与扩展天线相对并间隔开。