发明公开
CN1119343A 制造半导体器件的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 制造半导体器件的方法
- 专利标题（英）： Method for producing semiconductor device
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申请号： CN95106581.5申请日： 1995-05-24
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公开(公告)号： CN1119343A公开(公告)日： 1996-03-27
- 发明人: 小西正宏 , 矢部雅子 , 肥田俊郎
- 申请人： 夏普株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 夏普株式会社
- 当前专利权人： 夏普株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 上海专利商标事务所
- 代理商 张政权
- 优先权： 109828/94 1994.05.24 JP; 310352/94 1994.12.14 JP
- 主分类号： H01L23/29
- IPC分类号： H01L23/29 ; H01L23/053
摘要：
一种根据本发明的制造半导体器件的方法包括以下步骤：在多空腔电路板的每个空腔内设置功能元件，该多空腔电路板具有若干朝上开口的空腔；在多空腔电路板上覆盖具有预定厚度，含有作为密封树脂的，通过加热而熔化，进一步加热而固化的热塑性树脂和热固性树脂之一的密封树脂板，以盖住其全部空腔；加热加压多空腔电路板上的密封树脂板，以使密封树脂板熔化填入每个空腔；以及使填入每个空腔内的熔化树脂固化。
公开/授权文献
- CN1100347C 制造半导体器件的方法 公开/授权日：2003-01-29