- 专利标题: 一种可集成的二维光电突触器件阵列及其制备方法
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申请号: CN202010966037.5申请日: 2020-09-15
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公开(公告)号: CN111987173B公开(公告)日: 2022-11-15
- 发明人: 刘富才 , 曹桂铭 , 刘海石 , 陈建钢 , 卞仁吉 , 蒙鹏
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 北京正华智诚专利代理事务所
- 代理商 李林合
- 主分类号: H01L31/0216
- IPC分类号: H01L31/0216 ; H01L31/113 ; H01L31/18 ; G06N3/067
摘要:
本发明公开了一种可集成的二维光电突触器件阵列及其制备方法,突触器件阵列,包括若干突触器件单元,突触器件单元包括衬底,衬底上设置有背栅电极,背栅电极上设置有绝缘介质层,绝缘介质层上中部设置有二维材料导电沟道,二维材料导电沟道两侧分别设置有源漏电极一和源漏电极二,二维材料导电沟道与源漏电极一和源漏电极二之间形成欧姆接触,二维材料导电沟道、源漏电极一和源漏电极二上部设置有透明封装层。本发明还提供了突触阵列的制备方法。本发明的器件阵列包含多个基于H钝化的含Si绝缘介质衬底的突触器件单元,其制备工艺简单易操作,有效解决了现有技术中制备工艺复杂、不利于大规模生产和应用等问题,便于推广使用。
公开/授权文献
- CN111987173A 一种可集成的二维光电突触器件阵列及其制备方法 公开/授权日:2020-11-24
IPC分类: