公开(公告)号：CN117521751A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311475774.5

申请日：2023-11-07

申请人： 电子科技大学长三角研究院(湖州) ,  电子科技大学

发明人： 刘富才 ,  邓豪 ,  周李益 ,  王畅 ,  曹桂铭 ,  黄冠衡 ,  韩林峰

IPC分类号： G06N3/063 ,  G06N3/049 ,  G06N3/08

摘要： 本发明公开了一种基于类视觉应激响应的忆阻自适应电路系统，包括依次连接的输入神经元电路组件、突触矩阵电路组件、传出神经元电路组件；本发明通过调节单层神经网络权值，从硬件上实现了神经网络的在线训练；脱离基于传统冯诺依曼架构的信号处理方式，以小车为载体，实现了低功耗，快速响应的新型忆阻神经网络的硬件运算架构；同时针对忆阻系统的弛豫性实现了采样点可调的PWM调制技术，改善了系统的稳定性；针对循迹任务，利用基于自然采样法的SPWM调制，在模拟域实现了对舵机的精确控制。

公开(公告)号：CN114582727A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210197027.9

申请日：2022-03-01

申请人： 电子科技大学 ,  电子科技大学长三角研究院(湖州)

发明人： 刘富才 ,  尹辉东

IPC分类号： H01L21/428 ,  H01L21/34 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  C30B25/02 ,  C30B29/46 ,  C30B29/64

摘要： 本发明公开了一种基于空间对称性破缺二维材料能谷极化电流的调制方法，首先用空间对称性破缺二维材料构筑器件，包括两种类型：一种是从下至上分别为SiO2衬底、二维材料、源极电极和漏极电极；另一种是从下至少分别为SiO2衬底、底栅电极、底栅介电层、二维材料、源极电极和漏极电极、顶栅介电层、顶栅电极。本发明通过对二维材料层数的选择控制能谷极化电流极化大小，可以为能谷电子学的器件制备提供更易实现的方法，优于目前只能通过单层二维材料及其异质结的方式达到调控能谷极化的目的。

公开(公告)号：CN114864736A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210174987.3

申请日：2022-02-24

申请人： 电子科技大学 ,  电子科技大学长三角研究院(湖州)

发明人： 刘富才 ,  陈诚 ,  洪佩龙

IPC分类号： H01L31/113 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/032

摘要： 本发明提供了一种基于二维过渡金属硫族化物半导体的新型激子调控器件，包括SiO2衬底，所述SiO2衬底上设有封装层，所述封装层上设有金属硫族化物层，所述金属硫族化物层上设有石墨烯层，在所述SiO2衬底上还制备有金属电极，所述石墨烯层连接金属电极和金属硫族化物层。本发明还提供了一种基于二维过渡金属硫族化物半导体的新型激子调控器件的制备方法及控制器件的调控方法。解决了现有技术中存在的室温下对半导体材料内的电子空穴对，即激子输运调控距离较短、荧光强度较弱的问题。

公开(公告)号：CN117393622A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311486844.7

申请日：2023-11-08

申请人： 电子科技大学

发明人： 刘富才 ,  王金勇

IPC分类号： H01L31/0264 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  H01L27/144 ,  G06N3/067

摘要： 本发明公开了一种基于二维半导体的晶圆级突触电子阵列器件以及其制备方法。该晶圆级突触电子阵列器件包括以下要素：晶圆级底电极、作为功能层的二维半导体材料，以及位于该材料顶部的顶部电极。这一晶圆级设计方法适用于制备晶圆级阵列器件，其兼容尺寸范围从2寸到32寸。晶圆级突触电子阵列器件的单元具备两个输出端口，其中底部输出端口标记为电极一，而顶部输出端口标记为电极二。功能层与电极之间形成可靠的欧姆接触。制备方法允许制备二维半导体的晶圆级突触电子阵列器件，功能层可以包含多层堆叠，从而在纵向上形成异质结构或1S1R、1D1R结构，甚至是3D多层输出结构。顶部电极可以设计为透明电极，实现光电同时调制，以实现光电突触仿生功能。此外，该二维半导体的晶圆级突触电子阵列器件具备柔性基底兼容性，并且外部设置有封装。这项发明还支持阵列的三维器件设计，为二维半导体的晶圆级突触电子阵列器件提供了新的设计思路。

公开(公告)号：CN116347893A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310165386.0

申请日：2023-02-24

申请人： 电子科技大学

发明人： 刘富才 ,  宋苗苗 ,  刘庆

IPC分类号： H10B51/30 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423

摘要： 本发明公开了一种基于二维铁电材料离子迁移多态存储器件及其制备方法，该存储器件包括在以下三种器件结构下实现多态存储效果:1.MFMIS(金属‑铁电材料‑金属绝缘介电层‑半导体)结构。2.MFIS(金属‑铁电材料‑绝缘介电层‑半导体)。3.MFS(金属‑铁电材料‑绝缘介电层‑半导体)。其中包括支撑衬底上的导电沟道，导电沟道上设置有源极电极、漏极电极和绝缘介电层，源极电极和漏极电极分别设置于半导体沟道两端。沟道上置有石墨烯浮栅‑绝缘介电层‑CuInP2S6‑金属顶栅电极结构；或者绝缘介电层‑CuInP2S6‑金属顶栅；或者CuInP2S6‑金属顶栅电极结构。利用二维铁电半导体离子迁移现象调控沟道电阻状态，可在低电压操作下实现多状态的非易失存储。

公开(公告)号：CN115172489A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210574188.5

申请日：2022-05-25

申请人： 电子科技大学

发明人： 刘富才 ,  贾强 ,  梁磊

IPC分类号： H01L31/0336 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

摘要： 一种基于铁电二维钙钛矿/二硫化钼垂直结构异质结器件，包括支撑衬底、铁电二维钙钛矿、TMDs材料和两个源漏电极，所述铁电二维钙钛矿和TMDs材料铺设于支撑衬底上，所述铁电二维钙钛矿和TMDs材料相互重叠部分位于支撑衬底中部且TMDs材料位于铁电二维钙钛矿的下面，其中一个源漏电极与铁电二维钙钛矿相连接且另一个源漏电极与TMDs材料相连接。本发明提供了一种基于铁电二维钙钛矿/二硫化钼垂直结构异质结器件及其制备方法，解决现有钙钛矿器件光电难以同时获取稳定性和高效光电探测性能这一技术难题。

公开(公告)号：CN112968055B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202110199409.0

申请日：2021-02-23

申请人： 电子科技大学

发明人： 刘海石 ,  刘富才 ,  宋苗苗

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/44 ,  H01L21/34

摘要： 本发明公开了一种二维铁电半导体沟道铁电介电层场效应管及其制备方法，二维铁电半导体沟道铁电介电层场效应管，包括绝缘衬底，绝缘衬底上设置有石墨烯栅极，石墨烯栅极上分别设置有二维铁电介电层和金属栅极，二维铁电介电层上设置有二维铁电半导体沟道，二维铁电半导体沟道上分别设置有相互分隔的金属源极和金属漏极。本发明还包括上述二维铁电半导体沟道铁电介电层场效应管的制备方法。本发明通过将两种铁电体相互结合，在其界面处两者的束缚电荷会对退极化场进行电荷屏蔽，可以延长铁电体的剩余极化，有效解决了现有技术中难以实现稳定的非易失性存储和无法兼容硅基半导体制程等问题。

公开(公告)号：CN111068735A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201911376054.7

申请日：2019-12-27

申请人： 电子科技大学

发明人： 刘富才 ,  林波

IPC分类号： B01J27/24 ,  B01J37/08 ,  B01J37/34 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B3/04

摘要： 本发明公开了一种PtS量子点/g-C3N4纳米片复合光催化剂及其制备方法，属于工业催化技术领域，以混合气氛调控的高温焙烧技术所得到改性g-C3N4为基底，通过原位离子吸附辅助气相还原法生长独特的PtS量子点，从而获得PtS量子点/g-C3N4纳米片复合光催化剂。该系列催化剂制备工艺简单、原材料成本低、活性高，适合进一步放大生产及实际应用。

公开(公告)号：CN115881783A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202111138878.8

申请日：2021-09-27

申请人： 电子科技大学长三角研究院(湖州)

发明人： 刘富才 ,  陈建钢 ,  曹桂铭

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L29/786

摘要： 本发明提供了一种过渡金属硫族磷酸盐层状材料基于离子迁移机制在仿神经突触器件中的应用。仿神经突触器件包括由下至上依次叠置的支撑衬底、背栅电极、介质层、源漏电极和封装层；源漏电极包括源极电极和漏极电极，源极电极和漏极电极之间设置有导电沟道，导电沟道为过渡金属硫族磷酸盐层状材料。本发明通过调控材料晶格中本征离子的输运过程进而实现以过渡金属硫族磷酸盐层状材料为导电沟道的仿神经突触电子器件，有效解决了现有金属导电丝忆阻器存在的金属原子易氧化不稳定、高低阻态切换电压随机变化和开态电流过大等问题。

公开(公告)号：CN114709257A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202210197028.3

申请日：2022-03-01

申请人： 电子科技大学

发明人： 刘富才 ,  马博文 ,  卞仁吉

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提出一种基于Ⅲ‑Ⅵ族材料(GaSe)层间滑移铁电场效应晶体管器件，利用该类材料中电场控制层间滑移实现极化翻转的特性，可以实现对沟道费米能级和电导率的调控，与传统铁电场效应晶体管相比，二维超薄铁电体可以显著缩小器件尺寸，增加有效栅电场，翻转或极化所需的电压可以进一步降低，从而可以实现低功耗存储。这种外加电场调控层间滑移的新型铁电场效应晶体管器件为实现高性能的铁电存储及高集成度的存储芯片提供了新平台。