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公开(公告)号：CN110699754A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201911031909.2
申请日：2019-10-28
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供了一种磁性拓扑绝缘体异质结单晶材料及其合成方法，合成方法包括以下步骤：将金属和硫族元素研磨后，装入石英管中进行真空封管；将封管后的石英管加热并保温，再降温处理；将降温后的石英管，再一次进行降温处理；对再次降温后的石英管进行冰浴淬火，得磁性拓扑绝缘体异质结单晶材料。本发明操作简单，不涉及任何转移方法，无需昂贵的专用生产设备，生产效率较高，可以快速制得具有天然磁性拓扑绝缘体异质结单晶材料。
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公开(公告)号：CN114709257A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210197028.3
申请日：2022-03-01
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明提出一种基于Ⅲ‑Ⅵ族材料(GaSe)层间滑移铁电场效应晶体管器件，利用该类材料中电场控制层间滑移实现极化翻转的特性，可以实现对沟道费米能级和电导率的调控，与传统铁电场效应晶体管相比，二维超薄铁电体可以显著缩小器件尺寸，增加有效栅电场，翻转或极化所需的电压可以进一步降低，从而可以实现低功耗存储。这种外加电场调控层间滑移的新型铁电场效应晶体管器件为实现高性能的铁电存储及高集成度的存储芯片提供了新平台。
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公开(公告)号：CN114709257B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202210197028.3
申请日：2022-03-01
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明提出一种基于Ⅲ‑Ⅵ族材料(GaSe)层间滑移铁电场效应晶体管器件，利用该类材料中电场控制层间滑移实现极化翻转的特性，可以实现对沟道费米能级和电导率的调控，与传统铁电场效应晶体管相比，二维超薄铁电体可以显著缩小器件尺寸，增加有效栅电场，翻转或极化所需的电压可以进一步降低，从而可以实现低功耗存储。这种外加电场调控层间滑移的新型铁电场效应晶体管器件为实现高性能的铁电存储及高集成度的存储芯片提供了新平台。
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公开(公告)号：CN115206992A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210827239.0
申请日：2022-07-14
申请人： 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC分类号： H01L27/11585 , H01L29/78 , H01L21/336 , G11C11/56 , G11C11/22
摘要： 本发明公开了一种层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元及其制备方法，包括由下至上堆叠设置的支撑衬底、背栅电极、背栅介质层、源极电极、范德华铁电隧穿层、漏极电极、顶栅介质层和顶栅电极，范德华铁电隧穿层由范德华铁电材料制备得到，源极电极、漏极电极分别与范德华铁电隧穿层上下两端连接并形成洁净的原子级范德华界面接触。本发明提供的层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元，以范德华滑移铁电材料为隧穿层的铁电隧穿结，实现由层数滑移调控界面势垒实现单个存储单元的多值擦写。
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公开(公告)号：CN111987173A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010966037.5
申请日：2020-09-15
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/113 , H01L31/18 , G06N3/067
摘要： 本发明公开了一种可集成的二维光电突触器件阵列及其制备方法，突触器件阵列，包括若干突触器件单元，突触器件单元包括衬底，衬底上设置有背栅电极，背栅电极上设置有绝缘介质层，绝缘介质层上中部设置有二维材料导电沟道，二维材料导电沟道两侧分别设置有源漏电极一和源漏电极二，二维材料导电沟道与源漏电极一和源漏电极二之间形成欧姆接触，二维材料导电沟道、源漏电极一和源漏电极二上部设置有透明封装层。本发明还提供了突触阵列的制备方法。本发明的器件阵列包含多个基于H钝化的含Si绝缘介质衬底的突触器件单元，其制备工艺简单易操作，有效解决了现有技术中制备工艺复杂、不利于大规模生产和应用等问题，便于推广使用。
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公开(公告)号：CN111987173B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202010966037.5
申请日：2020-09-15
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/113 , H01L31/18 , G06N3/067
摘要： 本发明公开了一种可集成的二维光电突触器件阵列及其制备方法，突触器件阵列，包括若干突触器件单元，突触器件单元包括衬底，衬底上设置有背栅电极，背栅电极上设置有绝缘介质层，绝缘介质层上中部设置有二维材料导电沟道，二维材料导电沟道两侧分别设置有源漏电极一和源漏电极二，二维材料导电沟道与源漏电极一和源漏电极二之间形成欧姆接触，二维材料导电沟道、源漏电极一和源漏电极二上部设置有透明封装层。本发明还提供了突触阵列的制备方法。本发明的器件阵列包含多个基于H钝化的含Si绝缘介质衬底的突触器件单元，其制备工艺简单易操作，有效解决了现有技术中制备工艺复杂、不利于大规模生产和应用等问题，便于推广使用。
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公开(公告)号：CN115207127A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210825780.8
申请日：2022-07-14
申请人： 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/10 , H01L27/11585 , G11C11/22 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种基于层间滑移的多电导态铁电晶体管器件及制备方法，其工作机理如下：通过器件上下栅极施加垂直电场，实现范德华层状铁电的层间滑移，进而实现铁电极化态的叠加，在多层材料中获得多个极化态，通过多重铁电极化态进一步调控晶体管沟道的电导态。本发明的多电导态铁电晶体管器件区别于传统的基于铁电畴的改变获得的多态器件，以及基于铁电极化完全翻转获得的二值型器件，实现了多态铁电极化调控原理上的创新，基于材料层数作为新的自由度，实现稳定、多值、低功耗的效果。
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