提供了包括鳍形有源区的集成电路装置及其形成方法。所述装置可以包括鳍形有源区、鳍形有源区上的多个半导体图案、多个半导体图案上的栅电极以及分别位于栅电极的相对侧上的源极/漏极区。栅电极可以包括在最上面的半导体图案上延伸的主栅极部分以及在多个半导体图案中的两个相邻半导体图案之间延伸的子栅极部分。子栅极部分可以包括子栅极中心部分和子栅极边缘部分。在水平截面图中，子栅极中心部分在第一方向上的第一宽度可以小于子栅极边缘部分中的一个子栅极边缘部分在第一方向上的第二宽度。