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公开(公告)号：CN112103342A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010223071.3
申请日：2020-03-26
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种集成电路包括：鳍式有源区，从衬底突出；多个半导体图案，位于所述鳍式有源区的上表面上；栅电极，围绕所述多个半导体图案并且包括主栅极部分和子栅极部分，所述主栅极部分位于所述多个半导体图案中的最上面的半导体图案上，所述子栅极部分分别位于所述鳍式有源区与所述多个半导体图案中的最下方的半导体图案之间以及所述多个半导体图案之间；间隔物结构，设置在所述主栅极部分的侧壁上；以及源极/漏极区，位于所述栅电极的一侧。所述源极/漏极区连接到所述多个半导体图案并且接触所述间隔物结构的底表面。所述最上面的半导体图案的顶部部分具有第一宽度。所述最上面的半导体图案的底部部分具有小于所述第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN110783336A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910670044.8
申请日：2019-07-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8238
摘要： 提供了一种半导体器件。该器件包括在衬底上沿第一方向延伸的有源图案，围绕有源图案的侧壁的一部分的场绝缘膜，在有源图案和场绝缘膜上沿第二方向延伸的第一栅结构，与第一栅结构间隔开并在有源图案和场绝缘膜上沿第二方向延伸的第二栅结构，以及第一栅结构与第一栅结构之间的第一器件隔离膜，其中第一栅结构的面向第一器件隔离膜的侧壁包括相对于有源图案的上表面具有锐角的倾斜表面，并且第一器件隔离膜的最下表面低于场绝缘膜的最上表面或与场绝缘膜的最上表面基本上共面。
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公开(公告)号：CN114551444A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111392644.6
申请日：2021-11-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/088 , H01L23/522 , H01L23/528
摘要： 一种半导体器件可以包括：衬底，包括第一有源区和第二有源区以及在其间的场区；分别提供在第一有源区和第二有源区上的第一有源图案和第二有源图案；分别提供在第一有源图案和第二有源图案上的第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案；在第一源极/漏极图案之间的第一沟道图案和在第二源极/漏极图案之间的第二沟道图案；以及栅电极，从第一沟道图案延伸到第二沟道图案以跨越场区。第一沟道图案和第二沟道图案中的每个可以包括堆叠为彼此间隔开的半导体图案。在场区上的栅电极的下部的宽度可以随着与衬底的顶表面的距离减小而减小。
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公开(公告)号：CN111987162A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010434781.0
申请日：2020-05-21
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/423
摘要： 具有环栅结构的半导体器件包括：由第一沟槽分隔并在第一方向上延伸的第一鳍图案和第二鳍图案；在第一鳍图案上的第一纳米片；在第二鳍图案上的第二纳米片；第一鳍衬层，沿着第一沟槽的底表面和侧壁的至少一部分延伸；第一场绝缘层，设置在第一鳍衬层上并填充第一沟槽的一部分；以及第一栅极结构，与第一鳍图案的端部交叠并包括第一栅极间隔物。从第一沟槽的底表面到第一栅极间隔物的下表面的高度大于从第一沟槽的底表面到第一场绝缘层的上表面的高度。
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公开(公告)号：CN100407401C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200510054202.5
申请日：2005-01-12
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/76844 , H01L21/2855
摘要： 公开了一种通过选择性地形成扩散阻挡层来制造半导体器件的方法，和由此制造的半导体器件。在该制造方法中，在半导体衬底上形成了导电图案和覆盖导电图案的绝缘层。构图绝缘层从而形成用于暴露导电图案的至少一部分的开口。然后，利用选择性沉积技术在具有开口的半导体衬底上形成扩散阻挡层。扩散阻挡层在暴露的导电图案上形成的厚度比在暴露于开口内部的绝缘层上的扩散阻挡层的厚度更薄。然后，蚀刻扩散阻挡层，由此形成凹陷(recessed)扩散阻挡层。按照这种方式，防止了金属原子从填充开口的金属插塞或金属互连向绝缘层扩散。
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公开(公告)号：CN112002690A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010332676.6
申请日：2020-04-24
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/82
摘要： 提供了包括鳍形有源区的集成电路装置及其形成方法。所述装置可以包括鳍形有源区、鳍形有源区上的多个半导体图案、多个半导体图案上的栅电极以及分别位于栅电极的相对侧上的源极/漏极区。栅电极可以包括在最上面的半导体图案上延伸的主栅极部分以及在多个半导体图案中的两个相邻半导体图案之间延伸的子栅极部分。子栅极部分可以包括子栅极中心部分和子栅极边缘部分。在水平截面图中，子栅极中心部分在第一方向上的第一宽度可以小于子栅极边缘部分中的一个子栅极边缘部分在第一方向上的第二宽度。
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公开(公告)号：CN110620137A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910106711.X
申请日：2019-02-02
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种鳍式场效应晶体管包括在衬底上沿第一方向延伸的第一鳍和沿第一方向延伸并在第一方向上与第一鳍间隔开的第二鳍。第三鳍提供有比第一鳍和第二鳍的长边短的长边并设置在第一鳍与第二鳍之间。第一栅极结构沿与第一方向不同的第二方向延伸并横跨第一鳍。器件隔离层设置在第一鳍、第二鳍和第三鳍的每个的下侧壁上并形成为沿第一方向延伸。电绝缘的扩散中断区包括横跨在第一鳍与第三鳍之间的第一部分、横跨在第二鳍与第三鳍之间的第二部分和在第三鳍上设置于第一部分与第二部分之间的第三部分。扩散中断区在器件隔离层上沿第二方向延伸。第三部分的下表面的水平高于第一部分和第二部分的每个的下端的水平且低于第一栅极结构的上表面的水平。
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公开(公告)号：CN110797339B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201910640800.2
申请日：2019-07-16
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/092 , H01L27/02 , H01L21/8238
摘要： 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一有源图案，所述第一有源图案沿第一方向纵长地延伸；第二有源图案，所述第二有源图案沿所述第一方向纵长地延伸并沿所述第一方向与所述第一有源图案间隔开。所述器件还包括位于所述第一有源图案与所述第二有源图案之间的场绝缘膜。所述场绝缘膜的上表面低于所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面或与所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面共面。所述器件还包括位于隔离沟槽中的元件隔离结构，所述隔离沟槽位于所述第一有源图案和所述场绝缘膜中。所述元件隔离结构的上表面高于所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面。
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公开(公告)号：CN110620137B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201910106711.X
申请日：2019-02-02
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种鳍式场效应晶体管包括在衬底上沿第一方向延伸的第一鳍和沿第一方向延伸并在第一方向上与第一鳍间隔开的第二鳍。第三鳍提供有比第一鳍和第二鳍的长边短的长边并设置在第一鳍与第二鳍之间。第一栅极结构沿与第一方向不同的第二方向延伸并横跨第一鳍。器件隔离层设置在第一鳍、第二鳍和第三鳍的每个的下侧壁上并形成为沿第一方向延伸。电绝缘的扩散中断区包括横跨在第一鳍与第三鳍之间的第一部分、横跨在第二鳍与第三鳍之间的第二部分和在第三鳍上设置于第一部分与第二部分之间的第三部分。扩散中断区在器件隔离层上沿第二方向延伸。第三部分的下表面的水平高于第一部分和第二部分的每个的下端的水平且低于第一栅极结构的上表面的水平。
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