发明公开
- 专利标题: 一种IGBT器件的栅极电流调节器
-
申请号: CN202010878353.7申请日: 2020-08-27
-
公开(公告)号: CN112019201A公开(公告)日: 2020-12-01
- 发明人: 李泽宏 , 万佳利 , 曾潇 , 李陆坪 , 王其鹤 , 余辉
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 成都点睛专利代理事务所
- 代理商 葛启函
- 主分类号: H03K17/567
- IPC分类号: H03K17/567 ; H03K17/082 ; H02M1/08 ; H02M1/088
摘要:
一种IGBT器件的栅极电流调节器,包括信号采样处理模块和栅极控制模块,信号采样处理模块采样IGBT器件集射电压并进行隔离、放大和模数转换处理,获得表示IGBT器件集射电压的数字信号;栅极控制模块中将双向导通MOSFET管的漏极和源极接在IGBT栅极电阻两端,并获取IGBT器件集射电压的数字信号与参考信号的差值并作为误差信号;利用第一PID控制器根据误差信号产生第一控制信号,第一控制信号经过信号处理单元进行数模转换、隔离和放大处理,获得控制双向导通MOSFET管电流流向的电压信号加在双向导通MOSFET管的栅极和源极上;再利用第二PID控制器根据误差信号调节IGBT器件的驱动脉冲信号,从而控制驱动模块配合双向导通MOSFET管构成IGBT器件的栅极充放电通路,实现对IGBT栅极电荷的调节。
公开/授权文献
- CN112019201B 一种IGBT器件的栅极电流调节器 公开/授权日:2023-04-25
IPC分类: