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公开(公告)号：CN113437141A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110705609.9
申请日：2021-06-24
申请人： 电子科技大学 , 四川广义微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及一种具有多晶硅二极管栅极结构的浮空P区CSTBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明基于传统FP‑CSTBT结构，在利用CS层以及浮空P区有效降低器件导通压降的基础上，一方面在沟槽中设置二极管栅极结构，利用沟槽内PN结的结电容进一步屏蔽栅极和集电极，实现更小的密勒电容，优化器件的开关特性；另一方面增加P型poly栅极周围的栅氧化层厚度，进一步减小器件的密勒电容的同时优化沟槽底部及拐角处的电场，从而更好地实现功率器件导通压降与关断损耗之间的折中关系。
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公开(公告)号：CN112307703A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011166730.0
申请日：2020-10-27
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F30/392 , G06F30/398 , G06F119/06
摘要： 一种边缘计算智能功率模块，其中基础拓扑单元包括多个以串联、并联或串并联混合方式连接的功率器件，状态数据采集单元采集功率器件的状态数据；数据存储单元接收状态数据采集单元采集的状态数据和通过通信总线传递的外部数据并通过通信总线发送边缘计算智能功率模块的内部数据；控制策略生成单元通过人工智能算法分析计算数据存储单元内的数据，产生功率器件运行参考信号和对边缘计算智能功率模块进行智能功率管理的控制信号；功率器件控制执行单元根据控制策略生成单元产生的控制信号驱动对应功率器件完成对应行为。本发明可实现自均衡实时控制和异常分析，并能进行组合形成更大容量的功率系统，具有可重构、全自主、实时高效、可离线等优点。
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公开(公告)号：CN107622167B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201710879802.8
申请日：2017-09-26
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 一种用于栅控器件的集电极电流软测量方法，属于电力电子技术领域。首先建立栅控器件的稳态电流解析模型和瞬态电流解析模型，并根据以上两者建立栅控器件的全局电流解析模型，筛选栅控器件的关键参数；然后在栅控器件的应用电路中采集多组测试数据，每组测试数据包括解析软测量建模筛选出的栅控器件的关键参数和对应的栅控器件的集电极电流；再利用采集的多组测试数据建立统计数据模型，即利用机器学习算法建立关键参数与对应的栅控器件的集电极电流之间的关系；在实际测量时通过实时采集关键参数，并将采集的关键参数带入经验数据软测量建模建立的统计数据模型进行计算，即可得到间接测量的栅控器件的集电极电流。本发明具有高速低成本的优点。
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公开(公告)号：CN107634745A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710879997.6
申请日：2017-09-26
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03K17/56 , H03K17/567
摘要： 一种用于栅控器件的栅极充放电调节电路，属于电力电子技术领域。开关控制信号连接四个模拟开关的控制端，栅控制信号在四个模拟开关的作用下加载到正确的场效应管的栅极来控制其开启程度，从而达到调节栅驱动信号电流的目的，即调节栅控器件栅极的充放电电流以实现其开关特性和导通特性的改变，其中开关控制信号连接栅驱动模块的输入端，控制栅驱动模块产生栅驱动信号。本发明的电路通过调节栅控器件的栅极电流，实现栅控器件开关特性及导通特性的调节，具有简单、有效、功能全、可集成等优点，尤其适用于栅控器件并联均流应用。
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公开(公告)号：CN111722527B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010643316.8
申请日：2020-07-07
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G05B11/42
摘要： 一种基于模糊自适应PID的通用可配置数字控制芯片，利用输入控制管理模块获取输入信号，输入信号支持多种端口通信协议形式和工业标准的模拟信号形式，输入信号中被控对象的设定值和实时值送入模糊PID控制模块中进行处理，模糊控制规则表经过配置后送入存储单元模块存储；模糊PID控制模块读取模糊控制规则表并对被控对象的设定值和实时值进行模糊PID控制处理后送入输出控制管理模块；输出控制管理模块能够将进行模糊PID控制处理后的信号以多种端口通信协议形式、以生成PWM波的数字信号形式或以工业标准的模拟信号形式输出。本发明通过选择一种或多种输入形式、一种或多种输出形式进行组合，结合对应存储类型实现不同型号的芯片，具有通用性和可配置性。
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公开(公告)号：CN111722527A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010643316.8
申请日：2020-07-07
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G05B11/42
摘要： 一种基于模糊自适应PID的通用可配置数字控制芯片，利用输入控制管理模块获取输入信号，输入信号支持多种端口通信协议形式和工业标准的模拟信号形式，输入信号中被控对象的设定值和实时值送入模糊PID控制模块中进行处理，模糊控制规则表经过配置后送入存储单元模块存储；模糊PID控制模块读取模糊控制规则表并对被控对象的设定值和实时值进行模糊PID控制处理后送入输出控制管理模块；输出控制管理模块能够将进行模糊PID控制处理后的信号以多种端口通信协议形式、以生成PWM波的数字信号形式或以工业标准的模拟信号形式输出。本发明通过选择一种或多种输入形式、一种或多种输出形式进行组合，结合对应存储类型实现不同型号的芯片，具有通用性和可配置性。
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公开(公告)号：CN112307703B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202011166730.0
申请日：2020-10-27
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F30/392 , G06F30/398 , G06F119/06
摘要： 一种边缘计算智能功率模块，其中基础拓扑单元包括多个以串联、并联或串并联混合方式连接的功率器件，状态数据采集单元采集功率器件的状态数据；数据存储单元接收状态数据采集单元采集的状态数据和通过通信总线传递的外部数据并通过通信总线发送边缘计算智能功率模块的内部数据；控制策略生成单元通过人工智能算法分析计算数据存储单元内的数据，产生功率器件运行参考信号和对边缘计算智能功率模块进行智能功率管理的控制信号；功率器件控制执行单元根据控制策略生成单元产生的控制信号驱动对应功率器件完成对应行为。本发明可实现自均衡实时控制和异常分析，并能进行组合形成更大容量的功率系统，具有可重构、全自主、实时高效、可离线等优点。
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公开(公告)号：CN113421921A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110706932.8
申请日：2021-06-24
申请人： 电子科技大学 , 四川广义微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及一种槽栅中具有空穴通路的屏蔽栅沟槽IGBT结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明基于SGT IGBT器件的宽槽结构，在宽槽中的屏蔽栅极上层设置两个左右对称的控制栅极，同时屏蔽栅极会在两栅极之间引出，并与器件的发射极相连，从而形成空穴通路。在器件处于开态时，空穴通路被夹断使屏蔽栅极浮空，漂移区可以积累大量的载流子，从而降低器件的导通压降；在器件处于关态时，空穴通路使屏蔽栅极和金属发射极相连，实现屏蔽栅极对栅极和集电极之间的屏蔽作用，优化了器件的开关特性。
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公开(公告)号：CN112710939A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011504588.6
申请日：2020-12-18
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种功率器件的动态稳定性能评估方法，属于功率器件技术领域。本发明基于功率器件的等效电路，获得不同工况下功率器件的样本数据，并根据样本数据建立功率器件的状态空间方程，从而得到系统矩阵，将系统矩阵代入Lyapunov方程解出用于判定稳定性的矩阵；通过Sylvester判据来判定该矩阵是否正定，从而得出不同工况下功率器件是否稳定，通过统计不稳定点和稳定点的数目，可得到功率器件的不稳定度指标，从而判断功率器件是否稳定。本发明可以根据功率器件实时运行中的参数来判定其动态稳定性能，并且有效的评估功率器件的EMI风险水平，有利于指导功率器件的实际应用，并对功率器件的设计优化提供参考，本方案具有简单、高效、可移植等优点。
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公开(公告)号：CN107622167A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710879802.8
申请日：2017-09-26
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 一种用于栅控器件的集电极电流软测量方法，属于电力电子技术领域。首先建立栅控器件的稳态电流解析模型和瞬态电流解析模型，并根据以上两者建立栅控器件的全局电流解析模型，筛选栅控器件的关键参数；然后在栅控器件的应用电路中采集多组测试数据，每组测试数据包括解析软测量建模筛选出的栅控器件的关键参数和对应的栅控器件的集电极电流；再利用采集的多组测试数据建立统计数据模型，即利用机器学习算法建立关键参数与对应的栅控器件的集电极电流之间的关系；在实际测量时通过实时采集关键参数，并将采集的关键参数带入经验数据软测量建模建立的统计数据模型进行计算，即可得到间接测量的栅控器件的集电极电流。本发明具有高速低成本的优点。
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