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公开(公告)号：CN115020475A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210754547.5
申请日：2022-06-30
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/739
摘要： 本发明涉及一种具有肖特基接触的平面栅SJ IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过在传统的平面栅SJ IGBT器件JFET区引入P型环区，并将P型环区和发射极金属连接形成肖特基接触，在P型环区和发射极金属之间形成了空穴势垒。器件通态时，该势垒阻挡了空穴直接从P型环区流向发射极，保证了器件阴极侧的载流子浓度；关断过程中，P型环区和发射极金属形成了新的空穴抽取路径，加快了漂移区多余少数载流子的抽取，提高了器件的关断速度，降低了器件的关断损耗。
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公开(公告)号：CN115050810A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210754539.0
申请日：2022-06-30
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739
摘要： 本发明涉及一种具有PN结接触的平面栅SJ IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过在传统的平面栅SJ IGBT器件JFET区引入P型环区，并将该P型环区与发射极金属通过多晶硅PN结连接。导通状态下，P型环区与发射极之间由多晶硅的PN结形成势垒，低的正向导通压降不足以使该PN结正向导通，因此不会影响器件的导通状态；阻断状态下，P型环区反偏，多晶硅的PN结结构被P型环区所屏蔽，不会影响器件的阻断状态；关断过程中，随着集电极电压的上升，该PN结势垒降低并正向导通，为空穴的抽取提供了额外的通路，加快了漂移区载流子的抽取速度，提高了平面栅SJIGBT器件的开关速度，降低了器件的关断损耗。
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公开(公告)号：CN118299426A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410450640.6
申请日：2024-04-15
申请人： 电子科技大学 , 四川广义微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种具有双层场板的双沟槽SGT器件及制备方法，包括N+衬底、金属化漏极、N‑漂移区、金属化源极、屏蔽栅沟槽、控制栅沟槽、N+源区、P+重掺杂区、P型体区；本发明所提供的SGT结构具有双层场板结构，整体电场形状更接近矩形，优化导通电阻与击穿电压之间的关系。同时，第一场板与第二场板包含两种不同掺杂的多晶硅，所形成的多晶硅PN结引入了多晶硅PN结耗尽区电容，与器件原有的输出电容串联，整体输出电容减小。
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公开(公告)号：CN115425378A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211034523.9
申请日：2022-08-26
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01P1/208
摘要： 本发明涉及微波毫米波滤波器领域，具体涉及一种可产生带外零点的交叉耦合空腔基片集成波导带通滤波器。本发明通过在传统空腔基片集成波导带通滤波器中引入交叉耦合微带线，在原有带通滤波器通带两边引入了两个带外传输零点，提高了滤波器的通带选择性和带外抑制能力。发明中的空腔基片集成波导带通滤波器由若干级联的空气谐振腔组成；引入的交叉耦合微带线连接首尾两个空气谐振腔，使之相互耦合，结合空气谐振腔原有的耦合路径，形成交叉耦合结构。本发明给出了设计结构的详细描述、说明图、耦合拓扑结构和滤波器电参数效果等。
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公开(公告)号：CN115425378B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211034523.9
申请日：2022-08-26
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01P1/208
摘要： 本发明涉及微波毫米波滤波器领域，具体涉及一种可产生带外零点的交叉耦合空腔基片集成波导带通滤波器。本发明通过在传统空腔基片集成波导带通滤波器中引入交叉耦合微带线，在原有带通滤波器通带两边引入了两个带外传输零点，提高了滤波器的通带选择性和带外抑制能力。发明中的空腔基片集成波导带通滤波器由若干级联的空气谐振腔组成；引入的交叉耦合微带线连接首尾两个空气谐振腔，使之相互耦合，结合空气谐振腔原有的耦合路径，形成交叉耦合结构。本发明给出了设计结构的详细描述、说明图、耦合拓扑结构和滤波器电参数效果等。
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公开(公告)号：CN115332747B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211032098.X
申请日：2022-08-26
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供一种低损耗准椭圆空腔基片集成波导带通滤波器，沿z轴从下至上依次为第二金属层、介质层和第一金属层；介质层从左往右依次设置输入端口、第一过渡腔、谐振腔区域、第二过渡腔和输出端口；谐振腔区域包括沿x轴从左往右的若干个谐振腔，介质层上还设置两个非谐振腔，围绕过渡腔、谐振腔和非谐振腔的外轮廓设置金属化过孔，谐振腔与非谐振腔之间不设置金属化过孔。本发明通过在空腔基片集成波导带通滤波器中引入非谐振腔，可以在空腔基片集成波导带通滤波器的上下边带引入两个独立可控的传输零点，使得滤波器相比传统无非谐振腔体滤波器具有更陡的边带抑制特性和更高的带外抑制水平。
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公开(公告)号：CN112071914B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011017870.1
申请日：2020-09-24
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , G01R19/165
摘要： 本发明提供一种带有MOS单元和电压感测及控制单元的半导体器件，包括MOS单元和电压感测及控制单元，两个单元共用部分器件结构，共用结构包括：第二导电类型半导体漏极区、位于第二导电类型半导体集电极区上表面的第二导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体集电极区下表面连接的漏极金属电极；本发明在电压感测及控制单元中设置电压采样感测区和采样控制区，对漏极电压实现可控的采样；在器件进行电压采样时，当漏极电压增大到某一电压时，电压采样感测区的电压开始随着漏极电压的进一步增加而增加，检测电压采样感测区的电压，来反映漏极电压，并通过改变电压采样控制区的电压来改变电压采样的起始点，实现一个可控制的电压采样。
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公开(公告)号：CN112002756B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011017881.X
申请日：2020-09-24
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/739 , G01R19/00 , G01R31/26
摘要： 本发明提供一种带有IGBT单元和电流电压感测及控制单元的半导体器件，该半导体器件包括IGBT单元和电流电压感测及控制单元，两个单元共用部分器件结构，共用结构包括第一导电类型半导体集电极区、位于第一导电类型半导体集电极区上表面的第二导电类型半导体缓冲层、第二导电类型半导体缓冲层上表面的第二导电类型半导体漂移区；本发明在电流电压感测及控制单元中设置电流、电压采样感测区和采样控制区，其中电压采样与电流采样所使用的感测区与控制区相反，感测电极与采样电极在两种情况下也互为相反使用，对集电极电压和流经器件的电流实现可控的采样。
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公开(公告)号：CN112019201A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010878353.7
申请日：2020-08-27
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03K17/567 , H03K17/082 , H02M1/08 , H02M1/088
摘要： 一种IGBT器件的栅极电流调节器，包括信号采样处理模块和栅极控制模块，信号采样处理模块采样IGBT器件集射电压并进行隔离、放大和模数转换处理，获得表示IGBT器件集射电压的数字信号；栅极控制模块中将双向导通MOSFET管的漏极和源极接在IGBT栅极电阻两端，并获取IGBT器件集射电压的数字信号与参考信号的差值并作为误差信号；利用第一PID控制器根据误差信号产生第一控制信号，第一控制信号经过信号处理单元进行数模转换、隔离和放大处理，获得控制双向导通MOSFET管电流流向的电压信号加在双向导通MOSFET管的栅极和源极上；再利用第二PID控制器根据误差信号调节IGBT器件的驱动脉冲信号，从而控制驱动模块配合双向导通MOSFET管构成IGBT器件的栅极充放电通路，实现对IGBT栅极电荷的调节。
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公开(公告)号：CN116247091A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310321120.0
申请日：2023-03-29
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423
摘要： 本发明涉及功率半导体技术，具体涉及一种具有阳极辅栅的超结IGBT器件，包括：金属集电极；阳极辅助平面栅，由第二导电类型半导体多晶区、第一绝缘介质层、第一导电类型半导体集电区、第二导电类型源区、第二导电类型杂质缓冲层组成；超结柱区，由一导电类型体区、第二导电类型体区组成；载流子浓度存储区，由第二导电类型漂移区组成；阴极栅结构，由第一导电类型杂质区、金属发射极、第一导电类型半导体区、第二导电类型半导体区、第二导电类型多晶硅、第二绝缘介质层组成。器件特性是：可通过主栅和辅栅的时序协同，在不影响通态特性的同时提升超结IGBT的关断速度，减小关断损耗Eoff并优化器件的Von‑Eoff折中关系。
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