发明授权
- 专利标题： 紫外发光二极管及其制造方法
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申请号： CN202010879673.4申请日： 2020-08-27
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公开(公告)号： CN112038455B公开(公告)日： 2021-12-31
- 发明人: 范伟宏 , 李东昇 , 马新刚 , 赵进超 , 李超 , 高默然
- 申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
- 申请人地址： 福建省厦门市海沧区兰英路99号;
- 专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司,杭州士兰明芯科技有限公司
- 当前专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司,杭州士兰明芯科技有限公司
- 当前专利权人地址： 福建省厦门市海沧区兰英路99号;
- 代理机构： 北京成创同维知识产权代理有限公司
- 代理商 蔡纯; 岳丹丹
- 主分类号： H01L33/06
- IPC分类号： H01L33/06 ; H01L33/12 ; H01L33/24 ; H01L33/32 ; H01L33/38 ; H01L33/00
摘要：
公开了一种紫外发光二极管及其制造方法，包括：外延层，包括第一半导体层、多量子阱层以及第二半导体层；位于所述第二半导体层表面的透明导电薄膜；位于所述透明导电薄膜表面的反射镜层，其中，所述透明导电薄膜为具有导电性能的宽禁带介质薄膜。本申请的紫外发光二极管及其制造方法中，采用宽禁带材料代替ITO等材料，并通过电击穿工艺使宽禁带材料与P型半导体层形成欧姆接触，从而在实现紫外发光二极管良好的欧姆接触性能的同时具有高紫外透射率。
公开/授权文献
- CN112038455A 紫外发光二极管及其制造方法 公开/授权日：2020-12-04
IPC分类:
