Invention Publication
CN112086462A 垂直半导体器件
审中-公开
- Patent Title: 垂直半导体器件
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Application No.: CN202010406162.0Application Date: 2020-05-14
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Publication No.: CN112086462APublication Date: 2020-12-15
- Inventor: 李炅奂 , 金容锡 , 金泰勋 , 朴硕汉 , 山田悟 , 洪载昊
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 屈玉华
- Priority: 10-2019-0069038 20190612 KR
- Main IPC: H01L27/11568
- IPC: H01L27/11568 ; H01L27/11578 ; H01L27/11582
Abstract:
本发明提供了垂直半导体器件。该垂直半导体器件包括：在衬底上的沟道，该沟道在实质上垂直于衬底的上表面的第一方向上延伸；第一数据存储结构，接触沟道的第一侧壁；在沟道的第二侧壁上的第二数据存储结构；以及在第二数据存储结构的表面上的栅极图案，其中栅极图案在第一方向上彼此间隔开，并且栅极图案在实质上平行于衬底的上表面的第二方向上延伸。
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IPC分类:
