- 专利标题: 具有字节擦除操作的分裂栅极闪存存储器阵列
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申请号: CN201980032024.6申请日: 2019-04-16
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公开(公告)号: CN112119463B公开(公告)日: 2024-03-29
- 发明人: 梁轩 , 杨任伟 , 吴满堂 , N·多 , H·V·特兰
- 申请人: 硅存储技术股份有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 硅存储技术股份有限公司
- 当前专利权人: 硅存储技术股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 陈斌
- 国际申请: PCT/US2019/027760 2019.04.16
- 国际公布: WO2019/221867 EN 2019.11.21
- 进入国家日期: 2020-11-12
- 主分类号: G11C16/16
- IPC分类号: G11C16/16 ; G11C16/04
摘要:
本公开涉及一种存储器设备,该存储器设备具有:成行和列的存储器单元;字线,将存储器单元行的控制栅极连接在一起;位线,将存储器单元列的漏极区电连接在一起;第一子源极线,每个第一子源极线将处于存储器单元行中的一个中和处于第一多个存储器单元列中的源极区电连接在一起;第二子源极线,每个第二子源极线将处于存储器单元行中的一个中和处于第二多个存储器单元列中的源极区电连接在一起;第一源极线和第二源极线;第一选择晶体管,每个第一选择晶体管连接在第一子源极线中的一个与第一源极线之间;第二选择晶体管,每个第二选择晶体管连接在第二子源极线中的一个与第二源极线之间;和选择晶体管线,每个选择晶体管线连接到第一选择晶体管中的一个以及第二选择晶体管中的一个的栅极。
公开/授权文献
- CN112119463A 具有字节擦除操作的分裂栅极闪存存储器阵列 公开/授权日:2020-12-22