发明公开
- 专利标题： 位于SOI衬底上的具有沟槽改进的电流路径的高压二极管
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申请号： CN202010482768.2申请日： 2020-06-01
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公开(公告)号： CN112133760A公开(公告)日： 2020-12-25
- 发明人: J·皮杰卡克 , M·阿加姆 , J·C·J·杰森斯
- 申请人： 半导体元件工业有限责任公司
- 申请人地址： 美国亚利桑那
- 专利权人： 半导体元件工业有限责任公司
- 当前专利权人： 半导体元件工业有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国亚利桑那
- 代理机构： 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- 代理商 张小稳
- 优先权： 16/450,298 2019.06.24 US
- 主分类号： H01L29/861
- IPC分类号： H01L29/861 ; H01L29/06 ; H01L21/329
摘要：
本发明题为“位于SOI衬底上的具有沟槽改进的电流路径的高压二极管”。本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件可包括绝缘体上硅(SOI)衬底和形成于SOI衬底上的二极管，该二极管包括阴极区域和阳极区域。该半导体器件可包括至少一个击穿电压沟槽，该至少一个击穿电压沟槽设置在阴极区域的边缘处，并且位于阴极区域与阳极区域之间。
IPC分类:
