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公开(公告)号：CN110890880B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201910804851.4
申请日：2019-08-29
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/14 , H03K17/51 , H03K19/003 , H03K19/0175
摘要： 本发明题为“基于错误状况而改变晶体管的背面电极的电压的电路”。本发明提供了一种电路，该电路可以包括晶体管、传感器和开关。晶体管可以包括漏极电极、栅极电极、源极电极和背面电极。传感器可以被配置为检测晶体管中的错误状况。开关可以被配置为响应于传感器检测到晶体管中的错误状况而改变在背面电极处的电压，在背面电极处的电压的改变减小漏极电极与源极电极之间的电流。
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公开(公告)号：CN112133760A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010482768.2
申请日：2020-06-01
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本发明题为“位于SOI衬底上的具有沟槽改进的电流路径的高压二极管”。本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件可包括绝缘体上硅(SOI)衬底和形成于SOI衬底上的二极管，该二极管包括阴极区域和阳极区域。该半导体器件可包括至少一个击穿电压沟槽，该至少一个击穿电压沟槽设置在阴极区域的边缘处，并且位于阴极区域与阳极区域之间。
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公开(公告)号：CN111585557A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010025166.4
申请日：2020-01-10
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： J·C·J·杰森斯
IPC分类号： H03K17/693 , H03K17/00
摘要： 本发明涉及泄漏补偿电路及用于泄漏补偿的方法、以及具有该泄漏补偿电路的集成电路。在一种形式中，泄漏补偿电路包括缓冲放大器、链路耦合元件和泄漏补偿元件。缓冲放大器具有输出和耦合到感测节点的输入。链路耦合元件具有输出和耦合到缓冲放大器的输出的输入，其中链路耦合元件在从输入到其输出的方向上是单向的。泄漏补偿元件具有耦合到感测节点的第一电流端子、耦合到链路耦合元件的输出的控制端子、以及耦合到参考电压端子的第二电流端子。
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公开(公告)号：CN108807260B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201810254940.1
申请日：2018-03-27
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/10
摘要： 本公开涉及具有用于自隔离掩埋层的偏置结构的半导体器件及其方法。本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括浮动掩埋掺杂区域、设置在所述浮动掩埋掺杂区域与第一主表面之间的第一掺杂区域、以及设置在所述浮动掩埋掺杂区域与第二主表面之间的半导体区域。沟槽隔离部分从所述第一主表面延伸并且终止于所述半导体区域内以限定有源区域。绝缘沟槽结构横向地设置在所述沟槽隔离部分之间，终止于所述浮动掩埋掺杂区域内，并且限定所述有源区域的第一部分和第二部分。偏置半导体器件在所述第一部分内，且功能半导体器件在所述第二部分内。所述偏置半导体器件适于设定所述浮动掩埋掺杂区域的电势并且适于将寄生电流转移离开所述功能半导体器件。
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公开(公告)号：CN110890880A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201910804851.4
申请日：2019-08-29
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/14 , H03K17/51 , H03K19/003 , H03K19/0175
摘要： 本发明题为“基于错误状况而改变晶体管的背面电极的电压的电路”。本发明提供了一种电路，该电路可以包括晶体管、传感器和开关。晶体管可以包括漏极电极、栅极电极、源极电极和背面电极。传感器可以被配置为检测晶体管中的错误状况。开关可以被配置为响应于传感器检测到晶体管中的错误状况而改变在背面电极处的电压，在背面电极处的电压的改变减小漏极电极与源极电极之间的电流。
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公开(公告)号：CN108807260A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810254940.1
申请日：2018-03-27
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/10
摘要： 本公开涉及具有用于自隔离掩埋层的偏置结构的半导体器件及其方法。本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括浮动掩埋掺杂区域、设置在所述浮动掩埋掺杂区域与第一主表面之间的第一掺杂区域、以及设置在所述浮动掩埋掺杂区域与第二主表面之间的半导体区域。沟槽隔离部分从所述第一主表面延伸并且终止于所述半导体区域内以限定有源区域。绝缘沟槽结构横向地设置在所述沟槽隔离部分之间，终止于所述浮动掩埋掺杂区域内，并且限定所述有源区域的第一部分和第二部分。偏置半导体器件在所述第一部分内，且功能半导体器件在所述第二部分内。所述偏置半导体器件适于设定所述浮动掩埋掺杂区域的电势并且适于将寄生电流转移离开所述功能半导体器件。
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公开(公告)号：CN206226399U
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201621311207.1
申请日：2016-12-02
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
IPC分类号： H03K17/14
CPC分类号： G05F3/242 , H03K17/122 , H03K17/162
摘要： 本实用新型涉及控制装置。本实用新型的一个实施例解决的技术难题是，HV MOS晶体管的泄漏电流可能过高而使所述晶体管不能用于超低电流装置。技术效果是，使HV MOS晶体管能够用于超低电流操作。一种具有超低电流要求的示例性控制装置，所述控制装置包括：控制信号线；控制电流源；高压金属氧化物半导体(“HV MOS”)控制晶体管，其有选择地将所述控制电流源耦接到所述控制信号线，所述控制晶体管还将寄生泄漏电流耦接到所述控制信号线；以及补偿电流源，其耦接到所述控制信号线以提供补偿电流，所述补偿电流源包括HV MOS补偿晶体管，所述补偿晶体管将所述补偿电流与所述寄生泄漏电流匹配。
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公开(公告)号：CN205081681U
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201520519508.2
申请日：2015-07-17
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： J·C·J·杰森斯
CPC分类号： H02M3/07 , H01L41/042 , H02M2003/071 , H04R3/00
摘要： 本实用新型所公开的实施例涉及无变压器驱动电路。本实用新型的一个目的是拥有被配置为即使在存在静电释放或电磁事件的情况下也提供高压驱动能力的无电感器驱动电路。根据一种实施例，提供了一种包含开关控制网络的无变压器驱动电路，该开关控制网络具有与第一开关连接的输出端子以及与第二开关连接的另一个输出端子。驱动器与第二开关连接。
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