发明公开
- 专利标题: 一种层状SiOx材料及其制备方法和应用
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申请号: CN202011060563.1申请日: 2020-09-30
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公开(公告)号: CN112194138A公开(公告)日: 2021-01-08
- 发明人: 杜春雨 , 任阳 , 尹旭才 , 霍华 , 尹鸽平 , 左朋建 , 程新群 , 马玉林 , 高云智
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 北京慕达星云知识产权代理事务所
- 代理商 王攀
- 主分类号: C01B33/113
- IPC分类号: C01B33/113 ; H01M4/48 ; H01M10/0525
摘要:
本发明公开了一种层状SiOx材料,是呈手风琴形状的层状微米级颗粒,所述SiOx材料的粒径尺寸为0.5~20μm,任意相邻层间均存在纳米级宽度的狭缝空隙,所述狭缝空隙的宽度为1~50nm,单个片层厚度为30~40nm;制备方法为:溶解CaSi2中的Ca得到层状硅氧烯材料;高温煅烧脱去硅氧烯表面的氢键、羟基等,得到SiOx材料。本发明制备工艺简单,流程少,对设备要求不高,易于产业化大量生产,并且得到的2D层状SiOx材料不需包覆可以直接用作锂离子电池负极材料,表现了优异的电化学性能。
公开/授权文献
- CN112194138B 一种层状SiOx材料及其制备方法和应用 公开/授权日:2022-05-20