本发明提供了一种ZnO基同质结自驱动紫外光光电探测器及其制备方法，该ZnO基同质结自驱动紫外光光电探测器，包括：衬底；第一n‑ZnO薄膜层，位于衬底表面；第二n‑ZnO薄膜层，位于第一n‑ZnO薄膜层远离衬底一侧，第二n‑ZnO薄膜层在第一n‑ZnO薄膜层表面的正投影不完全覆盖第一n‑ZnO薄膜层；氮掺杂p型导电BeZnOS薄膜层，位于第二n‑ZnO薄膜层远离衬底一侧；第一金属电极层，位于氮掺杂p型导电BeZnOS薄膜层远离衬底一侧；第二金属电极层，位于第一n‑ZnO薄膜层且位于第二n‑ZnO薄膜层以外的部分表面。本发明的光电探测器，具有低的暗电流与功耗、快的响应速度，可以在零偏压下工作。