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公开(公告)号：CN112201711B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010947161.7
申请日：2020-09-10
申请人： 湖北大学 , 广州金升阳科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0296 , H01L31/109 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种ZnO基同质结自驱动紫外光光电探测器及其制备方法，该ZnO基同质结自驱动紫外光光电探测器，包括：衬底；第一n‑ZnO薄膜层，位于衬底表面；第二n‑ZnO薄膜层，位于第一n‑ZnO薄膜层远离衬底一侧，第二n‑ZnO薄膜层在第一n‑ZnO薄膜层表面的正投影不完全覆盖第一n‑ZnO薄膜层；氮掺杂p型导电BeZnOS薄膜层，位于第二n‑ZnO薄膜层远离衬底一侧；第一金属电极层，位于氮掺杂p型导电BeZnOS薄膜层远离衬底一侧；第二金属电极层，位于第一n‑ZnO薄膜层且位于第二n‑ZnO薄膜层以外的部分表面。本发明的光电探测器，具有低的暗电流与功耗、快的响应速度，可以在零偏压下工作。
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公开(公告)号：CN112195438A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010947157.0
申请日：2020-09-10
申请人： 湖北大学 , 广州金升阳科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种氮掺杂p型透明导电BeZnOS薄膜及其制备方法和应用，该制备方法，包括：制备BeZnOS陶瓷靶材；提供衬底，将衬底置于脉冲激光沉积系统真空腔体中，向真空腔体中通入一氧化氮气体，利用BeZnOS陶瓷靶材，采用脉冲激光烧蚀沉积的方法在衬底上进行氮掺杂的BeZnOS薄膜的生长；将得到的氮掺杂的BeZnOS薄膜于温度为400～750℃下退火，即得氮掺杂p型透明导电BeZnOS薄膜。本发明的制备方法，在ZnO中掺入Be和S形成BeZnOS合金可以连续调节其能带结构和电子结构同时又能保持ZnO的六方结构，更稳定的Be‑N键和更高的价带顶可以降低No的能级，提高No的稳定性。
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公开(公告)号：CN112195438B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010947157.0
申请日：2020-09-10
申请人： 湖北大学 , 广州金升阳科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种氮掺杂p型透明导电BeZnOS薄膜及其制备方法和应用，该制备方法，包括：制备BeZnOS陶瓷靶材；提供衬底，将衬底置于脉冲激光沉积系统真空腔体中，向真空腔体中通入一氧化氮气体，利用BeZnOS陶瓷靶材，采用脉冲激光烧蚀沉积的方法在衬底上进行氮掺杂的BeZnOS薄膜的生长；将得到的氮掺杂的BeZnOS薄膜于温度为400～750℃下退火，即得氮掺杂p型透明导电BeZnOS薄膜。本发明的制备方法，在ZnO中掺入Be和S形成BeZnOS合金可以连续调节其能带结构和电子结构同时又能保持ZnO的六方结构，更稳定的Be‑N键和更高的价带顶可以降低No的能级，提高No的稳定性。
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公开(公告)号：CN112201711A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010947161.7
申请日：2020-09-10
申请人： 湖北大学 , 广州金升阳科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0296 , H01L31/109 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种ZnO基同质结自驱动紫外光光电探测器及其制备方法，该ZnO基同质结自驱动紫外光光电探测器，包括：衬底；第一n‑ZnO薄膜层，位于衬底表面；第二n‑ZnO薄膜层，位于第一n‑ZnO薄膜层远离衬底一侧，第二n‑ZnO薄膜层在第一n‑ZnO薄膜层表面的正投影不完全覆盖第一n‑ZnO薄膜层；氮掺杂p型导电BeZnOS薄膜层，位于第二n‑ZnO薄膜层远离衬底一侧；第一金属电极层，位于氮掺杂p型导电BeZnOS薄膜层远离衬底一侧；第二金属电极层，位于第一n‑ZnO薄膜层且位于第二n‑ZnO薄膜层以外的部分表面。本发明的光电探测器，具有低的暗电流与功耗、快的响应速度，可以在零偏压下工作。
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公开(公告)号：CN109485184A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201710819667.8
申请日：2017-09-11
申请人： 湖北大学
IPC分类号： C02F9/06 , C02F1/461 , C02F101/30
摘要： 本发明公开了一种处理印染行业废水处理的方法。其特征在于采用恒电压电解的手段处理印染行业排放的有机污染物的废水。它包括如下步骤：1)将含有有机染料残余的印染废水置于三电极电解槽。2)调节好恒温水浴锅的温度，将三电极电解槽至于水浴锅中加热达到要求温度。3)接入电极，调控合适的电压，控制电解电流。4)调控好后开始电解至电解完成。5)电解后采用抽滤处理工作电极端的电解废水，除去电解产物，达到有机印染废水的预处理。本发明采用恒定电压电解的方法处理，反应过程中无需添加化学药品，无二次污染。电解电压低，能耗低。所需设备简单灵活易于操作。本发明通过电聚合方法将大部分的有机污染物从溶液中分离出来。
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公开(公告)号：CN105118539B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510434061.3
申请日：2015-07-22
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明提供了一种防中子辐射材料及其制备方法，通过添加累托石，具有固化核素、不易絮凝、防开裂性，是理想的防辐射材料，其对核素Th、Cs(VI)、Sr(II)、Eu(III)、U(VI)的固化效果优越，此外，具有防中子、防X射线、γ射线功能；通过添加硅酸盐水泥熟料，可以增强抗压、抗折强度，提高耐久性、实用性；通过添加二水石膏，可以调节凝结时间，便于施工；本发明公布的防中子辐射材料制备方法工艺简单，成本低廉，易于施工，不影响普通硅酸盐水泥性能，可广泛用作民用建筑中的防射线建筑材料。
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公开(公告)号：CN105118539A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510434061.3
申请日：2015-07-22
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明提供了一种防中子辐射材料及其制备方法，通过添加累托石，具有固化核素、不易絮凝、防开裂性，是理想的防辐射材料，其对核素Th、Cs(VI)、Sr(II)、Eu(III)、U(VI)的固化效果优越，此外，具有防中子、防X射线、γ射线功能；通过添加硅酸盐水泥熟料，可以增强抗压、抗折强度，提高耐久性、实用性；通过添加二水石膏，可以调节凝结时间，便于施工；本发明公布的防中子辐射材料制备方法工艺简单，成本低廉，易于施工，不影响普通硅酸盐水泥性能，可广泛用作民用建筑中的防射线建筑材料。
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公开(公告)号：CN112525119B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011305992.0
申请日：2020-11-20
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明公开了一种手镯尺寸自动测量装置，其包括水平测量平台、原点限位杆和水平抵接弹簧；原点限位杆垂直设置在水平测量平台上，且其上端设有测距传感器；水平抵接弹簧有四个，四个水平抵接弹簧分别以原点限位杆为起点，依次间隔90°设置，其中，设置于起点位置的水平抵接弹簧的伸缩端相对所述原点限位杆设置，另外三个水平抵接弹簧的伸缩端均指向同一点，且四个水平抵接弹簧的伸缩端的端部均设有压力传感器。通过原点限位杆设定了自动测距的基准点，并四个水平抵接弹簧对手镯进行弹性抵接定位，同时通过压力传感器实现更加精确地控制手镯受到的压力，避免对手镯造成划伤，另外，采用自动化测量得到的测量结果精度高，还提高了测量效率。
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公开(公告)号：CN109142141A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810628911.7
申请日：2018-06-19
申请人： 湖北大学
IPC分类号： G01N9/02
CPC分类号： G01N9/02 , G01N2009/022
摘要： 本发明提供一种三维激光实时探测固体材料密度系统及方法，包括三维激光测试模块，质量识别模块，处理器模块，数据显示模块及通讯模块，通过本系统实现了固体材料密度实时探测，实现了对待测固体进行点云数据采集以及构建虚拟模型，此系统运用扇形激光截面扫描方式对固体进行轮廓扫描与体积计算，采用灰度距边缘检测算法，用以识别被测固体与背景之间的边缘结构，双面密度拼接算法。通过双面测量、拟合成为整体的方式，实现了物体的双面拼接测量，使得该方案具有更加广泛的适用性。本方法能够确切、可靠地完成物体的三维体积扫描可以随时现场、野外测试未知材料密度。满足野外找矿、珠宝鉴定、固废处理、海关检测等部门的需求。
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公开(公告)号：CN112525119A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011305992.0
申请日：2020-11-20
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明公开了一种手镯尺寸自动测量装置，其包括水平测量平台、原点限位杆和水平抵接弹簧；原点限位杆垂直设置在水平测量平台上，且其上端设有测距传感器；水平抵接弹簧有四个，四个水平抵接弹簧分别以原点限位杆为起点，依次间隔90°设置，其中，设置于起点位置的水平抵接弹簧的伸缩端相对所述原点限位杆设置，另外三个水平抵接弹簧的伸缩端均指向同一点，且四个水平抵接弹簧的伸缩端的端部均设有压力传感器。通过原点限位杆设定了自动测距的基准点，并四个水平抵接弹簧对手镯进行弹性抵接定位，同时通过压力传感器实现更加精确地控制手镯受到的压力，避免对手镯造成划伤，另外，采用自动化测量得到的测量结果精度高，还提高了测量效率。
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