公开(公告)号：CN118598180A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410631918.X

申请日：2024-05-21

申请人： 合肥工业大学

发明人： 王向华 ,  李蓬勃 ,  吕戈

IPC分类号： C01G9/02 ,  C01G9/08 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0296

摘要： 本发明公开了一种单分散ZnS纳米团簇敏化P型ZnO纳米晶及其光电探测器，器件活性层为掺入有单分散ZnS纳米团簇作为敏化剂的P型ZnO纳米晶层，ZnS纳米团簇与P型ZnO纳米晶构成体异质结。本发明将单分散ZnS纳米团簇作为敏化剂作用在AP‑ZnO活性层中，所得ZnS:AP‑ZnO仍保留P型导电特性，且薄膜缺陷态密度降低，制备的光电探测器光电流得到提升，具有更高的开关比与探测率。

公开(公告)号：CN118398726B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410850899.X

申请日：2024-06-28

申请人： 天津理工大学

发明人： 朱岩 ,  何林安 ,  弭伟 ,  王迪

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/101 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0336

摘要： 本发明公开了一种紫外光和可见光双波段光电探测器及其制备方法，本发明在N型GaAs衬底上依次生长N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs背面空穴阻挡层、非故意掺杂GaAs吸收层、P型AlGaAs窗口层和P型GaAs接触层，并在探测器上沉积GaO薄膜。本发明能够共用检测电极不会影响电流的正常流动，从而实现共用光入射窗口和检测电极，在成本、集成度和焦平面拓展等方面具有更高的商用价值。

公开(公告)号：CN118538820A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410542291.0

申请日：2024-04-30

申请人： 昆明物理研究所

发明人： 张阳 ,  孔金丞 ,  王文金 ,  起文斌 ,  左大凡 ,  王雪松 ,  孔令文 ,  黄钰 ,  赵文 ,  桂希欢 ,  陈姗 ,  吴军 ,  杨晋

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L27/144

摘要： 本发明提供一种P‑on‑n型碲镉汞像元级原位生长阵列探测器，其特征在于它包括自下而上依次叠置的衬底材料层、n型吸收层、隔离像元的钝化隔离网格层、位于钝化隔离网格层的隔离网格内的阵列P型cap区、覆盖钝化隔离网格层和阵列p型cap区的钝化层、设置在阵列P型cap区内且未被钝化层覆盖的电极接触孔，设置在电极接触孔中的接触电极层。将碲镉汞异质结材料隔离成独立的像元，使P型Cap区生长的界面互扩散，获得碲镉汞P‑on‑n异质结探测器，有效避免对碲镉汞材料带来的损伤，避免钝化层覆盖性和界面致密性较差而导致漏电，降低界面缺陷，有效抑制隧穿电流，提升探测器性能。

公开(公告)号：CN118472093A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410665355.6

申请日：2024-05-27

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学杭州研究院

发明人： 方慈浙 ,  陈昊伟 ,  李晓茜 ,  王轶博 ,  刘艳 ,  郝跃 ,  韩根全

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224

摘要： 本发明公开了基于异质集成超表面的氧化镓日盲紫外探测器及方法，包括：衬底、氧化镓有源层、超表面阵列、电极，氧化镓有源层位于衬底之上，超表面阵列分布在氧化镓有源层上，电极在氧化镓有源层之上，且分布于超表面阵列两侧；所述超表面阵列由若干超表面单元组成，各超表面单元的电介质材料使其与氧化镓有源层界面处形成空间电荷区，其中靠近氧化镓有源层的一侧为正空间电荷区，靠经超表面单元的一侧为负空间电荷区，正负空间电荷区之间产生内建电场。本发明能有效提升氧化镓光吸收，超表面阵列与氧化镓形成异质结，产生内建电场加快光生载流子的分离，提高器件响应速度。

公开(公告)号：CN118461133A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410631304.1

申请日：2024-05-21

申请人： 深圳现象光伏科技有限公司

发明人： 请求不公布姓名

IPC分类号： C30B29/12 ,  H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  C30B7/14

摘要： 本申请提供一种全无机钙钛矿薄膜及其制备方法、钙钛矿电池，全无机钙钛矿薄膜的制备方法包括：将CsPbI3单晶、CsPbBr3单晶、PbCl2和碘二甲基胺溶于第一有机溶剂中，制备第一前驱液；将第一前驱液涂布后退火处理，制备所述全无机钙钛矿薄膜，全无机钙钛矿薄膜的成分包括CsPbIxBr3‑x，0

公开(公告)号：CN115332374B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202210935224.6

申请日：2022-08-04

申请人： 北京工业大学

发明人： 张永哲 ,  邓文杰 ,  郑子龙 ,  李菁桢 ,  周荣锟 ,  陈小青

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

摘要： 一种二类二维异质结层间激发态光吸收跃迁增强的器件，属光电探测技术领域。所述二类二维异质结包括两种上下两层二维材料叠加形成的异质结，在两层二维材料层间夹杂有金属单原子，支撑上述异质结的为衬底，二类二维异质结的上下两层二维材料分别设有实现光电信号抽取的金属电极即。利用金属原子可以促使电子‑空穴离域，增强电子‑空穴的功函数交叠，进而增大吸收跃迁偶极矩的对基于此能级跃迁偶极矩的特点，提升红外光响应度，有效克服了该类器件响应差的问题，在新型红外探测器技术领域具有潜在的应用价值。

公开(公告)号：CN118448501A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410439404.4

申请日：2024-04-12

申请人： 电子科技大学

发明人： 韦敏 ,  何俊锋 ,  袁愈钞 ,  胡永达

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35

摘要： 本发明提供一种基于Mg0.2Zn0.8O/Bi0.005Zn0.995O/Si双层薄膜结构宽光谱探测器及制备和应用，探测器包括n型Si基片，在n型Si基片上采用射频磁控溅射形成的Bi0.005Zn0.995O薄膜、Bi0.005Zn0.995O薄膜上采用射频磁控溅射形成的Mg0.2Zn0.8O薄膜，BiZnO对ZnO中的本征点缺陷可起抑制作用，有利于获得较好的纤锌矿晶体结构。本发明所对应禁带宽度依次减小，当光从上往下照射时，波长较短的会被禁带宽度较大的MgZnO所吸收，不能被MgZnO吸收的较长波长光会透过被下面的BiZnO及Si依次吸收，这种叠层结构设计可用于光电探测和光电池等器件中，实现对宽光谱光的吸收并提高对光的吸收及探测率。

公开(公告)号：CN118352424A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410542266.2

申请日：2024-04-30

申请人： 昆明物理研究所

发明人： 张阳 ,  孔金丞 ,  左大凡 ,  彭凝 ,  起文斌 ,  王文金 ,  桂希欢 ,  黄元晋 ,  邓文斌 ,  王雪松 ,  万志远 ,  周艳 ,  姜军 ,  吴军 ,  黄钰

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供一种P‑on‑n型碲镉汞原位生长嵌入式平面异质结探测器，其特征在于包括：自下而上依次叠置的衬底材料层、n型吸收层、隔离像元的n型隔离网格层、位于n型隔离网格层的隔离网格内的阵列P型cap区、覆盖n型隔离网格层和阵列p型cap区的钝化层、设置在阵列P型cap区内且未被钝化层覆盖的电极接触孔，设置在电极接触孔中的接触电极层。利用n型隔离网格层将碲镉汞异质结材料隔离成独立的像元，通过阵列P型Cap区生长形成像元结构，得到碲镉汞p‑on‑n异质结探测器，有效避免对碲镉汞材料的损伤，通过平面钝化避免因钝化层覆盖性和界面致密性较差而导致漏电，降低界面缺陷，抑制隧穿电流，提升探测器性能。

公开(公告)号：CN115084293B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202210511838.1

申请日：2022-05-11

申请人： 中山大学

发明人： 江灏 ,  吕泽升 ,  卢家冰

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/036 ,  H01L31/109

摘要： 本发明公开了一种异质结光电探测器，包括衬底和/或缓冲层，以及层工作器件，所述工作器件包括在衬底和/或缓冲层上从下到上依次设置的界面下层和界面上层；所述界面下层和/或界面上层设有阳极接触电极和阴极接触电极；所述界面下层和界面上层为异质结构，且所述界面下层和界面上层中产生极化电荷。本发明主要利用异质结界面上、下层中的极化电荷及由此产生的极化电场来耗尽异质界面一侧作为吸收层和沟道层的薄膜层，使得该薄膜层在无光照条件下呈高阻态，使探测器具有极低的暗电流；而在光照下，光生电子‑空穴分离，减弱极化电场的耗尽效果，即由光生伏特作用使沟道层逐步恢复导电；同时，光生少子的滞留诱导光电导增益。

公开(公告)号：CN118315480A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410430203.8

申请日：2024-04-10

申请人： 香港科技大学(广州)

发明人： 倪逸群 ,  温维佳 ,  冯亮 ,  姚乾坤 ,  江亮斌

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0224

摘要： 本发明公开了一种SnS/T iO2纳米棒薄膜异质结光电探测器及其制备方法，包括以下步骤，首先在FTO导电玻璃上制备一层TiO2纳米棒薄膜；然后在T iO2纳米棒薄膜上制备一层SnS薄膜；最后，在SnS薄膜上沉积梳状银电极即制成SnS/T iO2纳米棒薄膜异质结光电探测器。本发明设计新颖，利用SnS的P型半导体特性和宽光谱吸收特性，制备了自供电型p‑SnS/n‑T iO2异质结的宽谱光电探测器，该异质结探测器不仅具有自供电特性，而且对375nm～1550nm范围内的光敏感，这些优异特性是在纯TiO2纳米结构的光电探测器中是无法看到的。此外，该异质结光电探测器的再现性和稳定性也非常出色，本发明为研究自供电、宽光谱光电探测器提供了一条有效途径。