本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。p型GaN层上具有多个间隔分布的空穴注入槽，且每个空穴注入槽与填满空穴注入槽的GaN空穴注入结构均由p型GaN层延伸至多量子阱层。GaN空穴注入结构可到通道的作用，GaN空穴注入结构越过AlGaN电子阻挡层，将p型GaN层中的空穴直接引导至多量子阱层中。空穴通过GaN空穴注入结构进入多量子阱层时受到阻力，相对穿过AlGaN电子阻挡层进入多量子阱层中的阻力较小。因此更多的空穴可以通过GaN空穴注入结构进入多量子阱层中与电子复合发光。进入多量子阱层中的空穴数量增多，最终得到的发光二极管的发光效率也会提高。