发明公开
CN112310221A 半导体器件
审中-公开
- 专利标题： 半导体器件
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申请号： CN202010681259.2申请日： 2020-07-15
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公开(公告)号： CN112310221A公开(公告)日： 2021-02-02
- 发明人: 林杠默 , 金相秀 , 朴雨锡 , 朱大权
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市立方律师事务所
- 代理商 李娜; 王占杰
- 优先权： 10-2019-0092590 2019.07.30 KR
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/10 ; H01L21/336
摘要：
提供一种包括位于衬底上的有源区的半导体器件。多个沟道层在所述有源区上间隔开。设置栅极结构。所述栅极结构与所述有源区和所述多个沟道层相交。所述栅极结构围绕所述多个沟道层。源极/漏极区在所述栅极结构的至少一侧设置在所述有源区上。所述源极/漏极区与所述多个沟道层接触。下绝缘层在所述源极/漏极区上设置在所述栅极结构的侧表面之间。接触插塞穿过所述下绝缘层。所述接触插塞接触所述源极/漏极区。隔离结构在所述衬底上与所述有源区相交，并且设置在彼此相邻的所述源极/漏极区之间。每个所述栅极结构包括包含彼此不同的材料的栅电极和栅极覆盖层。