发明授权
- 专利标题: 无引脚DFN封装器件的封装工艺
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申请号: CN202011403562.2申请日: 2019-02-22
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公开(公告)号: CN112420532B公开(公告)日: 2022-07-19
- 发明人: 马磊 , 党鹏 , 杨光 , 彭小虎 , 王新刚 , 庞朋涛 , 任斌 , 王妙妙
- 申请人: 西安航思半导体有限公司
- 申请人地址: 陕西省西安市鄠邑区吕公路东段西户科技企业孵化器C3号楼
- 专利权人: 西安航思半导体有限公司
- 当前专利权人: 西安航思半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市鄠邑区吕公路东段西户科技企业孵化器C3号楼
- 代理机构: 苏州创元专利商标事务所有限公司
- 代理商 王健
- 主分类号: H01L21/56
- IPC分类号: H01L21/56 ; H01L23/367 ; H01L23/31 ; H01L23/29 ; C08L63/00 ; H01B3/40 ; C08G59/62 ; C08G59/42 ; C08G59/50
摘要:
本发明公开了一种集成电路器件的封装工艺,所述器件包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘,所述芯片位于散热焊盘上;包括以下步骤:S1.先将硅微粉80份和阻燃剂10份与3‑氨基丙基三乙氧基硅烷2份混合均匀,进行表面处理;S2.再加入环氧树脂80份、线型酚醛树脂55份、液体丁腈橡胶16份、焦碳酸二乙酯8份、聚乙二醇单辛基苯基醚0.1份、醋酸丁酸纤维素5份、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺2份、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚5份和脱模剂3份,混合均匀。本发明方法制备得到的器件有效避免了气孔导致的导热性能降低进而引起电性方面的失效的问题,内部气孔的发生率低。
公开/授权文献
- CN112420532A 集成电路器件的封装工艺 公开/授权日:2021-02-26
IPC分类: