- 专利标题： 存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法
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申请号： CN202010775814.8申请日： 2020-08-05
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公开(公告)号： CN112420714A公开(公告)日： 2021-02-26
- 发明人: 张晓松 , 胡怡 , T·J·约翰 , W·Y·吴 , C·蒂瓦里
- 申请人： 美光科技公司
- 申请人地址： 美国爱达荷州
- 专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人地址： 美国爱达荷州
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 王龙
- 优先权： 16/545,375 2019.08.20 US
- 主分类号： H01L27/11524
- IPC分类号： H01L27/11524 ; H01L27/11556 ; H01L27/1157 ; H01L27/11582
摘要：
本申请涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。在一些实施例中，包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔的存储块，所述存储块个别地包括垂直堆叠，所述垂直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。存储器单元的操作沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层。绝缘支柱横向位于横向紧邻的所述存储块之间且纵向沿着所述存储块。与所述绝缘层相比，所述支柱在所述导电层中包括垂直间隔且径向突出的绝缘环。公开了包含方法的其它实施例。
公开/授权文献
- CN112420714B 存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法 公开/授权日：2024-08-02
IPC分类:
