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公开(公告)号：CN112420714A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010775814.8
申请日：2020-08-05
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 本申请涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。在一些实施例中，包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔的存储块，所述存储块个别地包括垂直堆叠，所述垂直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。存储器单元的操作沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层。绝缘支柱横向位于横向紧邻的所述存储块之间且纵向沿着所述存储块。与所述绝缘层相比，所述支柱在所述导电层中包括垂直间隔且径向突出的绝缘环。公开了包含方法的其它实施例。
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公开(公告)号：CN115497950A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211246360.0
申请日：2020-08-13
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L21/768
摘要： 本申请涉及包括包含触点通孔及导电线的结构的设备和相关方法。所述设备包括结构，所述结构包含上覆于下部绝缘材料的上部绝缘材料、下伏于所述下部绝缘材料的导电元件，及包括金属线及触点的导电材料。所述导电材料从所述上部绝缘材料的上部表面延伸到所述导电元件的上部表面。所述结构还包括邻近所述金属线的衬里材料。在所述触点外部的所述金属线的所述导电材料的最上表面的宽度相对小于所述触点的所述导电材料的最上表面的宽度。
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公开(公告)号：CN114391179A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202080058364.9
申请日：2020-08-10
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L27/11524 , H01L27/11556
摘要： 一种电子装置，其包括：至少一个高纵横比特征，其在基底材料堆叠中；叠加标记，其仅在所述基底材料堆叠的上部中或上；及额外材料堆叠，其邻近所述基底材料堆叠，所述额外材料堆叠包括所述至少一个高纵横比特征。公开额外电子装置及存储器装置，还公开在电子装置中形成高纵横比特征的方法。
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公开(公告)号：CN113589663A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110907522.X
申请日：2019-09-05
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G03F9/00
摘要： 本申请案涉及晶片配准及重叠测量系统以及有关方法。一种方法包含向晶片施加磁场，检测从所述晶片内的第一组配准标记中的至少一个配准标记发射的至少一个残余磁场，响应于所述所检测到的残余磁场，确定所述第一组配准标记中的所述至少一个配准标记的位置，确定第二组配准标记中的至少一个配准标记的位置，及响应于所述第一组配准标记中的所述至少一个配准标记及所述第二组配准标记中的所述至少一个配准标记的所述相应确定位置，计算所述晶片的所关注层级与所述晶片的参考层级之间的位置偏移。还揭示有关方法及系统。
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公开(公告)号：CN112436012A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010825265.0
申请日：2020-08-17
申请人： 美光科技公司
发明人： 胡怡 , R·M·阿卜杜勒拉哈曼 , N·比利克 , D·比林斯利 , 柏振宇 , J·M·卡什 , M·J·金 , A·李 , D·诺伊迈耶 , W·Y·吴 , Y·K·朴 , C·蒂瓦里 , 王宜平 , L·威廉森 , 张晓松
IPC分类号： H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 本申请涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括个别地包括竖直堆叠的横向间隔开的存储器块，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。存储器单元的操作性沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层。居间材料在横向上处于横向紧邻的所述存储器块之间且在纵向上沿着所述存储器块。所述居间材料包括其中个别地具有竖直伸长接缝的纵向交替的第一和第二区域。所述竖直伸长接缝在所述第一区域中比在所述第二区域中长。公开包含方法的额外实施例。
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公开(公告)号：CN110880467A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910832701.4
申请日：2019-09-04
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L21/68 , H01L23/544
摘要： 本申请案涉及晶片对准标记、系统及相关方法。一种用于半导体制造过程的对准晶片的方法可包含：将磁场施加到晶片；检测来自所述晶片内的一或多个对准标记的一或多个残余磁场；响应于所检测到的一或多个残余磁场，确定所述一或多个对准标记的位置。可确定相对于理想栅格的标记位置，随后确定用于对准所述晶片的几何变换模型，并且响应于所述几何变换模型而对准所述晶片。还公开相关方法及系统。
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公开(公告)号：CN113589663B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202110907522.X
申请日：2019-09-05
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G03F9/00
摘要： 本申请案涉及晶片配准及重叠测量系统以及有关方法。一种方法包含向晶片施加磁场，检测从所述晶片内的第一组配准标记中的至少一个配准标记发射的至少一个残余磁场，响应于所述所检测到的残余磁场，确定所述第一组配准标记中的所述至少一个配准标记的位置，确定第二组配准标记中的至少一个配准标记的位置，及响应于所述第一组配准标记中的所述至少一个配准标记及所述第二组配准标记中的所述至少一个配准标记的所述相应确定位置，计算所述晶片的所关注层级与所述晶片的参考层级之间的位置偏移。还揭示有关方法及系统。
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公开(公告)号：CN117957929A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202280063257.4
申请日：2022-08-30
申请人： 美光科技公司
发明人： 赵博 , M·J·金 , J·里斯 , M·J·戈斯曼 , S·K·瓦迪韦尔 , M·J·巴克利 , 徐丽芳 , J·D·彼得松 , M·帕克 , A·L·奥尔森 , D·A·奎利 , 张晓松 , J·B·德胡特 , Z·F·尤 , K·S·周 , T·M·Q·陈 , 王淼鑫
摘要： 一种微电子装置包含：堆叠结构，其包含布置成层级的导电结构与绝缘结构的竖直交替序列、竖直延伸到所述堆叠结构中且在所述堆叠结构的两个内部侧壁之间界定的电介质填充开口；体育场结构，其在所述堆叠结构内且包括由所述层级中的至少一些的水平端界定的台阶；第一凸缘，其从所述体育场结构的所述台阶中的第一最上台阶向上延伸且与所述堆叠结构的所述两个内部侧壁中的第一内部侧壁对接；及第二凸缘，其从所述体育场结构的所述台阶中的第二相对最上台阶向上延伸且与所述两个内部侧壁的第二相对内部侧壁对接。
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公开(公告)号：CN116326237A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180066317.3
申请日：2021-09-03
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H10B43/50
摘要： 微电子装置包含下部叠组和上部叠组，所述下部叠组和所述上部叠组各自包括堆叠结构，所述堆叠结构具有布置成叠层的绝缘结构和导电结构的竖直交替序列。柱的下部阵列延伸穿过所述下部叠组的所述堆叠结构，且柱的上部阵列延伸穿过所述上部叠组的所述堆叠结构。所述下部阵列中的所述柱沿着所述下部叠组与所述上部叠组之间的界面与所述上部阵列中的所述柱对准。至少在包括所述柱的基部的高程处，所述下部阵列中的所述柱的柱密度不同于所述上部阵列中的所述柱的柱密度，“柱密度”是相应阵列的每单位水平区域中的柱数目。还公开了相关方法和电子系统。
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公开(公告)号：CN110879510B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201910837865.6
申请日：2019-09-05
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G03F9/00
摘要： 本申请案涉及晶片配准及重叠测量系统以及有关方法。一种方法包含向晶片施加磁场，检测从所述晶片内的第一组配准标记中的至少一个配准标记发射的至少一个残余磁场，响应于所述所检测到的残余磁场，确定所述第一组配准标记中的所述至少一个配准标记的位置，确定第二组配准标记中的至少一个配准标记的位置，及响应于所述第一组配准标记中的所述至少一个配准标记及所述第二组配准标记中的所述至少一个配准标记的所述相应确定位置，计算所述晶片的所关注层级与所述晶片的参考层级之间的位置偏移。还揭示有关方法及系统。
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