本公开提供了一种紫外发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。p型AlGaN层上的SnO2欧姆接触层接近透明且对紫外光的吸收较少，有利于紫外光的正常出射。同时SnO2材料与p型AlGaN层的晶格失配小，在p型AlGaN层上直接生长的SnO2欧姆接触层的缺陷少，减小空穴进入缺陷导致的空位的可能，更多的空穴可以进入GaN/AlGaN多量子阱层进行发光，进一步提高GaN/AlGaN多量子阱层的发光效率。同时SnO2欧姆接触层本身具有较好的导电性，因此在不掺杂p型杂质的前提下，也可以实现空穴的良好传递以及与ITO层、电极之间的良好接触。最终可以大幅提高紫外发光二极管的发光效率。