发明公开
- 专利标题: 高强度DFN封装半导体器件
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申请号: CN202011403577.9申请日: 2019-02-22
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公开(公告)号: CN112435974A公开(公告)日: 2021-03-02
- 发明人: 马磊 , 党鹏 , 杨光 , 彭小虎 , 王新刚 , 庞朋涛 , 任斌 , 王妙妙
- 申请人: 西安航思半导体有限公司
- 申请人地址: 陕西省西安市鄠邑区吕公路东段西户科技企业孵化器C3号楼
- 专利权人: 西安航思半导体有限公司
- 当前专利权人: 西安航思半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市鄠邑区吕公路东段西户科技企业孵化器C3号楼
- 代理机构: 苏州创元专利商标事务所有限公司
- 代理商 王健
- 主分类号: H01L23/367
- IPC分类号: H01L23/367 ; H01L23/29
摘要:
本发明公开了一种高强度DFN封装半导体器件,包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘,所述芯片位于散热焊盘上,位于散热焊盘周边设有若干个导电焊盘,所述导电焊盘和芯片通过一引线连接;所述环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分:环氧树脂80份、线型酚醛树脂55份、液体丁腈橡胶16份、焦碳酸二乙酯8份、硅微粉80份、聚乙二醇单辛基苯基醚 0.1份、3‑氨基丙基三乙氧基硅烷2份、醋酸丁酸纤维素5份、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺2份、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚5份、脱模剂3份、阻燃剂10份。本发明高强度DFN封装半导体器件散热效果、力学性能优异,增强了环氧绝缘体的整体力学性能,有效保证了封装结构稳定性。
公开/授权文献
- CN112435974B 高强度DFN封装半导体器件 公开/授权日:2022-07-19
IPC分类: