本发明公开了一种基于GOI结构的诱导应变半导体激光器包括衬底，衬底为N型单晶硅衬底；衬底上表面依次生长二氧化硅或三氧化二铝低折射率氧化物层、单晶锗层；单晶锗层上通过电极工艺和离子注入分区掺杂工艺从左至右依次制备p++重掺杂层、p+限制层、p波导层、势垒层、n++量子阱层、势垒层、n+波导层、n限制层、p++重掺杂层；两侧p++重掺杂层上表面分别制备了正、负电极；p波导层、势垒层、n++量子阱层、势垒层和n+波导层之上生长一层三氧化二铝绝缘层；三氧化二铝绝缘层上生长镍膜或铂膜为应力增强层；前、后腔面经过抛光形成前后腔镜面。本发明具有较高的亮度，结构简单，制作工艺简便，易于大批量、高集成度、低成本生产。