发明授权
- 专利标题: 一种三层板MSAP工艺制造方法及三层板
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申请号: CN202011331398.9申请日: 2020-11-24
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公开(公告)号: CN112566391B公开(公告)日: 2021-09-21
- 发明人: 岳长来
- 申请人: 深圳和美精艺半导体科技股份有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市龙岗区坪地街道四方埔社区牛眠岭新村26号二楼
- 专利权人: 深圳和美精艺半导体科技股份有限公司
- 当前专利权人: 深圳和美精艺半导体科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市龙岗区坪地街道四方埔社区牛眠岭新村26号二楼
- 代理机构: 深圳市海盛达知识产权代理事务所
- 代理商 赵雪佳
- 主分类号: H05K3/46
- IPC分类号: H05K3/46 ; H05K3/42 ; H05K3/00 ; C25D5/18 ; C25D3/38 ; C23F1/18 ; C23F1/02
摘要:
本发明提供一种三层板MSAP工艺制造方法及三层板,本发明制造方法包括如下步骤:内层压合步骤:将覆铜基板两侧通过半固化片压合第三层铜箔,所述覆铜基板包括芯板,设置在芯板两面的第一层铜箔和设置在第一层铜箔外层的第二层铜箔,其中,所述第一层铜箔的厚度大于第二层铜箔的厚度;内层线路作业步骤:在第三层铜箔上构造内层线路;棕化作业步骤:对内层线路构造完成的基板做棕化处理;外层压合步骤:将基板两侧通过半固化片压合第四层铜箔;分板作业步骤:将第一层铜箔和第二层铜箔分开,得到包括第二层铜箔、第三层铜箔和第四层铜箔的三层板。本发明的有益效果为:工艺简单,三层板更薄,更柔软,针对超密基细线路能力有超前提升。
公开/授权文献
- CN112566391A 一种三层板MSAP工艺制造方法及三层板 公开/授权日:2021-03-26