本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括：工艺腔室内包括工艺区及传片区；进气装置设置于工艺腔室的顶部，用于向工艺区内通入工艺气体；承载装置包括有基座及导流结构，基座可升降的设置于传片区内，用于承载待加工件；导流结构设置于基座内，与一供气源连接，用于在基座位于工艺位置时，沿基座的周向吹出气体，在基座外周与工艺腔室内壁之间形成气墙，以隔绝工艺气体进入传片区；工艺腔室传片区的内壁中设有排气结构，当基座位于工艺位置时，导流结构与排气结构相对，排气结构用于排出导流结构吹出的气体。本申请实施例实现了工艺区与传片区之间完全隔离，从而大幅缩短工艺腔室吹扫时间以提高半导体工艺设备的产能。