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公开(公告)号：CN110885970B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201811058058.6
申请日：2018-09-11
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/455
摘要： 本发明的实施例提供一种固体前驱体蒸汽的稳压和纯化装置，包括：壳体，壳体内部形成封闭的处理空间；壳体设有与处理空间相通的进气口和排气口；以及，多个匀流部件，多个匀流部件设置在壳体内部并且沿着竖直方向依次排列，将处理空间分隔成从下至上依次排列的多个子空间；匀流部件设有通孔，相邻的子空间通过通孔连通；其中，进气口与位于最下部的子空间连通；排气口与位于最上部的子空间连通。还提供了一种ALD沉积设备。该稳压和纯化装置可以提高低蒸汽压力前驱体的蒸汽的稳定性，并且降低前驱体固体颗粒对传输管路、腔室和产品的污染。
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公开(公告)号：CN113972154A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111219963.7
申请日：2021-10-20
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683
摘要： 本发明提供一种应用于半导体工艺设备的工艺腔室，包括传输腔和位于传输腔上方的多个反应腔，多个反应腔均通过底部开口与传输腔连通，工艺腔室中的多个基座可在反应腔与传输腔之间升降，还包括设置在传输腔底壁上的传输机构和承载机构，传输机构用于将晶圆由工艺腔室外部转移至承载机构或多个基座上，以及将多个基座上的晶圆传出工艺腔室，承载机构用于承载多片晶圆，并在传输机构取走多个基座上的晶圆后，将其所承载的多片晶圆转移至多个基座上。在本发明中，传输机构能够先将下一批晶圆传输至承载机构上，承载机构在半导体工艺结束后将其承载的晶圆转移至基座上，节约了晶圆传输时间。本发明还提供一种半导体工艺设备和半导体工艺方法。
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公开(公告)号：CN113862645A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111144662.2
申请日：2021-09-28
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/505
摘要： 本申请公开了一种承载装置及半导体工艺腔室，涉及半导体装备领域。一种承载装置，应用于半导体工艺设备的工艺腔室，该承载装置包括：承载座本体、导电件和设置于承载座本体内部的第一电极，所述第一电极用于与接地装置连接；所述承载座本体设有承载面，用于承载晶圆，且与所述晶圆绝缘；所述导电件的一端与第一电极电性连接，另一端用于与所述承载座本体承载的所述晶圆接触，以将所述晶圆上产生的电荷通过所述第一电极接地释放。一种半导体工艺腔室，包括上述承载装置。本申请能够解决电荷积聚导致晶圆不易脱离承载座本体以及晶圆上薄膜致密度均匀性差等问题。
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公开(公告)号：CN109786293B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201811613509.8
申请日：2018-12-27
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本申请公开了一种顶针高度调节装置及反应腔室，该顶针高度调节装置包括：升降托，顶针的底部位于升降托上，且升降托底部设置第一斜面和第二斜面；第一调节块，第一调节块的顶部设置有第三斜面，第一斜面和第三斜面相对匹配设置；第二调节块，第二调节块的顶部设置有第四斜面，第二斜面和第四斜面相对匹配设置；驱动机构，用于驱动第一调节块和第二调节块，使第一调节块和第二调节块在安装板上横向移动，驱动升降托的纵向移动以改变顶针的高度。为顶针高度的调整提供了更为便利的调节方案，避免了因多个顶针形成的支撑面不平导致衬底颗粒、以及在机械手传片时衬底位置变化甚至滑片等问题。
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公开(公告)号：CN112593208A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011340051.0
申请日：2020-11-25
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/458
摘要： 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括：工艺腔室内包括工艺区及传片区；进气装置设置于工艺腔室的顶部，用于向工艺区内通入工艺气体；承载装置包括有基座及导流结构，基座可升降的设置于传片区内，用于承载待加工件；导流结构设置于基座内，与一供气源连接，用于在基座位于工艺位置时，沿基座的周向吹出气体，在基座外周与工艺腔室内壁之间形成气墙，以隔绝工艺气体进入传片区；工艺腔室传片区的内壁中设有排气结构，当基座位于工艺位置时，导流结构与排气结构相对，排气结构用于排出导流结构吹出的气体。本申请实施例实现了工艺区与传片区之间完全隔离，从而大幅缩短工艺腔室吹扫时间以提高半导体工艺设备的产能。
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公开(公告)号：CN111304629A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811511088.8
申请日：2018-12-11
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明提供一种腔室组件，包括腔体、腔室盖，其特征在于，还包括铰接模块，所述铰接模块设置在所述腔体与所述腔室盖之间，用于实现所述腔室盖的开合，且在所述铰接模块内设有气体通路，所述气体通路用于将外部气源提供的工艺气体经所述腔体和所述腔室盖通入所述腔体的内部。即使腔室盖处于开启状态，气体通路仍然处于封闭状态，而不会暴露在大气环境中，从而避免了在开启腔室盖，以取放衬底或者维护腔室时，因人为操作导致的颗粒掉落进气体通路，进而可以保证腔室的洁净度，降低薄膜的颗粒缺陷，提高器件的质量及产品良率。
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公开(公告)号：CN111101110A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811267482.1
申请日：2018-10-29
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C14/56 , C23C16/455 , C23C16/54
摘要： 本发明公开了一种进气集成结构、工艺腔室和半导体处理设备。进气集成结构包括：进气件，设置有工艺气体通道；封堵件，所述封堵件与所述进气件可转动地连接；磁性组件，所述磁性组件包括第一磁性件和第二磁性件，所述第一磁性件与所述封堵件连接，所述第二磁性件与所述进气件连接；并且，所述第一磁性件和所述第二磁性件中的一者的磁极可变，以在所述第一磁性件和所述第二磁性件之间产生方向不同的磁力，所述磁力能够驱动所述封堵件转动，以使得所述封堵件封堵或开启所述工艺气体通道。利用磁性组件之间的磁力，可以实现自动封堵或自动开启工艺气体通道，可以提高设备的自动化程度，消除人为因素影响颗粒问题的分析，降低造作人员劳动强度。
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公开(公告)号：CN110939800A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201811105905.X
申请日：2018-09-21
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供一种波纹管以及薄膜沉积设备，属于沉积设备技术领域，其可至少部分解决现有的可伸长或者收缩的波纹管不能自限位的问题。本发明的一种波纹管，包括：本体，本体能够在轴向上伸长或者缩短；销轴，设于本体外侧，且处于本体的轴向上的第一位置；挂钩，挂钩的第一端与本体外侧连接，且处于本体的轴向上的第二位置，挂钩的第二端具有与销轴匹配的挂接结构，当第一位置与第二位置之间的轴向长度处于预定长度时，销轴能卡入挂接结构内，以限定第一位置与第二位置之间的轴向长度。
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公开(公告)号：CN108807127B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201810555365.9
申请日：2018-06-01
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本公开提供了一种上电极组件、反应腔室以及原子层沉积设备，上电极组件包括进气结构和上电极板，所述上电极板开设有主管路，所述进气结构用于将工艺气体自所述主管路引入反应腔室，所述进气结构包括：绝缘组件，置于所述上电极板上；进气部件，置于所述绝缘组件上，并开设有第一进气管路，所述第一进气管路通过所述绝缘组件与所述主管路连通，且所述第一进气管路内壁通过所述绝缘组件与所述主管路内壁电气隔离。
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公开(公告)号：CN109872965A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201711259933.2
申请日：2017-12-04
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , C23C16/458
摘要： 本发明公开了一种承载装置及反应腔室，该承载装置包括可升降的基座，在所述基座中设置有定位孔，还包括：底部穿过定位孔、顶部用于支撑晶片的支撑柱，接通电源的正极或负极且与支撑柱电连接的插接件，插接件用于使支撑柱通过电场力将晶片吸附。本发明在应用于半导体成膜工艺时，能够有效增加成膜的均匀性及提升产品的合格率。
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