发明授权
CN1126175C 半导体存储器件
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体存储器件
- 专利标题(英): Semiconductor storage device
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申请号: CN99127744.9申请日: 1999-12-03
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公开(公告)号: CN1126175C公开(公告)日: 2003-10-29
- 发明人: 长野能久 , 田中圭介 , 那须彻
- 申请人: 松下电器产业株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人: 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 傅康
- 优先权: 343896/1998 1998.12.03 JP
- 主分类号: H01L27/10
- IPC分类号: H01L27/10 ; H01L21/82
摘要:
一种半导体存储器件包括:一个含晶体管的半导体衬底;第一保护性绝缘薄膜;至少一个数据存储电容器元件;第二保护性绝缘薄膜;一个氢阻挡层;和一个互连层,用于电连接晶体管和电容器元件,其中,电容器元件包括:一个下电极,它形成在第一保护性绝缘薄膜上;一层电容器薄膜,它形成在下电极上;一个上电极,它形成在电容器薄膜上,电容器薄膜包括一种绝缘金属氧化物,第二保护性绝缘薄膜具有到达上电极的第一接触孔和到达下电极的第二接触孔,氢阻挡层设置在第一和第二接触孔中,以不暴露上电极和下电极。
公开/授权文献
- CN1257310A 半导体存储器件 公开/授权日:2000-06-21
IPC分类: