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    固体摄像元件以及摄像装置
    1.
    发明公开
    固体摄像元件以及摄像装置 有权 转让

    公开(公告)号：CN103620782A

    公开(公告)日：2014-03-05

    申请号：CN201280031195.5

    申请日：2012-06-26

    申请人： 松下电器产业株式会社

    发明人： 薄田学 ,  斋藤繁 ,  田中圭介 ,  小野泽和利

    IPC分类号： H01L27/14 ,  H04N5/369

    CPC分类号： H01L27/14625 ,  H01L27/14621 ,  H04N5/3572

    摘要： 在本发明的固体摄像元件，单位像素（3）的聚光元件（11）具有以射入单位像素（3）的受光元件（14）的光的波长以下的线宽被分离的、以相对于聚光元件（11）的受光面垂直方向的轴为中心的同心结构的多个光透过膜（33），并具有由多个光透过膜（33）的组合所控制的有效折射率分布，同心结构的多个光透过膜（33）的外缘的形状在受光面上为，与同心结构的中心最近的光透过膜（33）呈正圆、与同心结构的中心远离的光透过膜（33）呈椭圆，椭圆的长轴相对于短轴的比率为，越是与同心结构的中心远离的光透过膜（33）的外缘的形状比率越高，多个单位像素（3）各自的椭圆的长轴方向，在受光面上与连接多个单位像素各自的同心结构的中心和固体摄像元件的中心的矢量相正交。

    半导体存储器件
    5.
    发明授权
    半导体存储器件 失效

    公开(公告)号：CN1126175C

    公开(公告)日：2003-10-29

    申请号：CN99127744.9

    申请日：1999-12-03

    申请人： 松下电器产业株式会社

    发明人： 长野能久 ,  田中圭介 ,  那须彻

    IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L21/82

    CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/40

    摘要： 一种半导体存储器件包括：一个含晶体管的半导体衬底；第一保护性绝缘薄膜；至少一个数据存储电容器元件；第二保护性绝缘薄膜；一个氢阻挡层；和一个互连层，用于电连接晶体管和电容器元件，其中，电容器元件包括：一个下电极，它形成在第一保护性绝缘薄膜上；一层电容器薄膜，它形成在下电极上；一个上电极，它形成在电容器薄膜上，电容器薄膜包括一种绝缘金属氧化物，第二保护性绝缘薄膜具有到达上电极的第一接触孔和到达下电极的第二接触孔，氢阻挡层设置在第一和第二接触孔中，以不暴露上电极和下电极。

    元件安装装置及元件安装方法
    6.
    发明公开
    元件安装装置及元件安装方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN103491762A

    公开(公告)日：2014-01-01

    申请号：CN201310148212.X

    申请日：2013-04-25

    申请人： 松下电器产业株式会社

    发明人： 田中富雄 ,  纳富亮 ,  田中圭介 ,  服部芳幸

    IPC分类号： H05K13/04

    摘要： 本发明的目的在于提供一种元件安装装置及元件安装方法，即使在将微细元件作为对象而动作速度高速化的情况下也能够使吸附位置学习功能正常发挥。能够将对吸嘴的升降驱动轴及安装头的水平驱动轴的动作速度的速度模式进行规定的动作模式在以将动作时间在可能的范围内缩短的方式进行设定的通常动作模式和将动作速度设定为比通常动作模式低的低速动作模式之间进行切换，在元件取出动作中检测出表示装置状态的变更的状态变更时，由动作模式切换部将动作模式切换为低速动作模式，并且校正元件吸附位置，在切换为低速动作模式之后，若处于位置偏差允许范围内就将动作模式切换为通常动作模式。