发明授权
- 专利标题： 磁性隧道结结构及其磁性存储器
-
申请号： CN201910950478.3申请日： 2019-10-08
-
公开(公告)号： CN112635650B公开(公告)日： 2022-11-08
- 发明人: 张云森 , 郭一民 , 陈峻 , 肖荣福
- 申请人： 上海磁宇信息科技有限公司
- 申请人地址： 上海市嘉定区工业区兴顺路558号2幢2层
- 专利权人： 上海磁宇信息科技有限公司
- 当前专利权人： 上海磁宇信息科技有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市嘉定区工业区兴顺路558号2幢2层
- 代理机构： 上海容慧专利代理事务所
- 代理商 于晓菁
- 主分类号： H01L43/08
- IPC分类号： H01L43/08 ; H01L43/10
摘要：
本申请提供一种磁性隧道结结构及其磁性存储器，所述磁性隧道结结构包括双层结构的参考层、垂直各向异性增强层、与设置于两方之间的晶格传输层共同构成参考层。本申请中由于垂直各向异性增强层的引入增强了参考的稳定性，进而有利于自由层在平行态和反平行态时，热稳定性的提升。同时，由于可以增加参考层的厚度，垂直隧穿磁阻比例(TMR)/结电阻面积积(RA)得以提升，有助于磁性存储器在磁学、电学和良率的提升，以及器件的进一步缩微。
公开/授权文献
- CN112635650A 磁性隧道结结构及其磁性存储器 公开/授权日：2021-04-09
IPC分类:
