本发明公开了一种提高850nm半导体激光功率密度的方法，包括850nm半导体激光单管模块（1）、准直镜（2）、光纤（3）、环形固定器（4）、空心梯型圆台（5）和聚焦镜（6）。空心梯型圆台（5）包括圆台上底面（5‑1）、圆台外侧面（5‑2）、圆台下底面（5‑3）和圆台内侧面（5‑4）。850nm半导体激光单管模块（1）通过准直镜（2）耦合进光纤（3），光纤（3）通过环形固定器（4）后，垂直入射到空心梯型圆台（5）的圆台下底面（5‑3），在圆台外侧面（5‑2）和圆台内侧面（5‑4）发生全反射，经过圆台上底面（5‑1）入射到聚焦镜（6），实现提高850nm半导体激光输出光功率密度。