一种980nm半导体激光叠阵合束装置

    公开(公告)号:CN112636182A

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN202110102268.6

    申请日:2021-01-26

    IPC分类号: H01S5/40 H01S5/00

    摘要: 本发明公开了一种980nm半导体激光叠阵合束装置,包括第一个980nm半导体激光叠阵模块(1)、第二个980nm半导体激光叠阵模块(2)、第一组准直镜(3)、第二组准直镜(4)、V型棱镜(5)、聚焦镜(6)。V型棱镜(5)包括上底面(5‑1)、第一下底面(5‑2)、第二下底面(5‑3)、第一外侧腰面(5‑4)、第二外侧腰面(5‑5)、第一内侧腰面(5‑6)和第二内侧腰面(5‑7)。980nm半导体激光叠阵模块(1)和(2)分别经过准直镜(3)和(4)通过V型棱镜(5)两次全反射后再通过聚焦镜镜(7),实现980nm半导体激光叠阵合束输出。

    一种提高850nm半导体激光功率密度的方法

    公开(公告)号:CN112636183A

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN202110103144.X

    申请日:2021-01-26

    IPC分类号: H01S5/40 H01S5/00

    摘要: 本发明公开了一种提高850nm半导体激光功率密度的方法,包括850nm半导体激光单管模块(1)、准直镜(2)、光纤(3)、环形固定器(4)、空心梯型圆台(5)和聚焦镜(6)。空心梯型圆台(5)包括圆台上底面(5‑1)、圆台外侧面(5‑2)、圆台下底面(5‑3)和圆台内侧面(5‑4)。850nm半导体激光单管模块(1)通过准直镜(2)耦合进光纤(3),光纤(3)通过环形固定器(4)后,垂直入射到空心梯型圆台(5)的圆台下底面(5‑3),在圆台外侧面(5‑2)和圆台内侧面(5‑4)发生全反射,经过圆台上底面(5‑1)入射到聚焦镜(6),实现提高850nm半导体激光输出光功率密度。

    一种830nm半导体激光阵列合束装置

    公开(公告)号:CN112636181A

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN202110101580.3

    申请日:2021-01-26

    IPC分类号: H01S5/40 H01S5/00

    摘要: 本发明公开了一种830nm半导体激光阵列合束装置,包括830nm半导体激光阵列模块(1)、准直镜(2)、空心梯型圆台(3)和聚焦镜(4)。空心梯型圆台(3)包括圆台上底面(3‑1)、圆台外侧面(3‑2)、圆台下底面(3‑3)和圆台内侧面(3‑4)。半导体激光阵列模块(1)通过准直镜(2)垂直入射到空心梯型圆台(3)的圆台下底面(3‑3),在圆台外侧面(3‑2)和圆台内侧面(3‑4)发生全反射,经过圆台上底面(3‑1)入射到聚焦镜(4),实现提高半导体激光阵列输出光功率密度。

    一种实现手机与终端共享算力的系统及方法

    公开(公告)号:CN113037858A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202110309725.9

    申请日:2021-03-23

    IPC分类号: H04L29/08

    摘要: 本发明公开了一种实现手机与终端共享算力的系统及方法,该系统将用户手机的所有运算任务通过共享算力云服务平台进行模块化管理,提高了手机的运行速度,减少了用户手机的运算时间,用户手机的运算信息分布在不同的共享算力终端中进行运算,避免了集中运算方式终端个人隐私信息在云服务器被窃取和泄漏的风险,运算过程更加安全可靠,通过将模块任务分享到各个终端上进行运算,降低了用户手机处理大量数据的运算压力,降低了对用户手机运算性能的要求,更能满足人们对手机高速数据处理性能的体验需求。

    一种集成化980nm半导体激光夜视光源装置

    公开(公告)号:CN112582883A

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN202110102673.8

    申请日:2021-01-26

    IPC分类号: H01S5/40

    摘要: 本发明公开了一种集成化980nm半导体激光夜视光源装置,包括基板(1)、散热模块(2)、四个980nm半导体激光集成模块(3)、第一支架(4)、四个准直镜集成单元(5)、第二支架(6)、凹透镜(7)、第三支架(8)和凸透镜(9)。四个980nm半导体激光集成模块(3)包括四个980nm半导体激光单管,并在四个方向上呈中心对称分布。四个准直镜集成单元(5)包括四个准直镜,每个准直镜对应一个980nm半导体激光单管。四个980nm半导体激光集成模块(3)通过四个准直镜集成单元(5)准直后,再通过凹透镜(7)和凸透镜(9),实现集成化980nm半导体激光夜视光源输出。

    一种940nm半导体激光夜视成像光源装置

    公开(公告)号:CN112582882A

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN202110101883.5

    申请日:2021-01-26

    IPC分类号: H01S5/40

    摘要: 本发明公开了一种940nm半导体激光夜视成像光源装置,包括第一个940nm半导体激光阵列模块(1)、第二个940nm半导体激光阵列模块(2)、第一组准直镜(3)、第二组准直镜(4)、V型棱镜(5)、凹透镜(6)、凸透镜(7)。V型棱镜(5)包括上底面(5‑1)、第一下底面(5‑2)、第二下底面(5‑3)、第一外侧腰面(5‑4)、第二外侧腰面(5‑5)、第一内侧腰面(5‑6)和第二内侧腰面(5‑7)。940nm半导体激光阵列模块(1)和(2)分别经过准直镜(3)和(4)通过V型棱镜(5)两次全反射后再通过凹透镜(6)和凸透镜(7),实现940nm半导体激光激光夜视成像光源输出。

    一种808nm半导体激光夜视光源发射装置

    公开(公告)号:CN112582881A

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN202110101586.0

    申请日:2021-01-26

    IPC分类号: H01S5/40

    摘要: 本发明公开了一种808nm半导体激光夜视光源发射装置,包括808nm快慢轴准直半导体激光阵列模块(1)、空心梯型圆台(2)、凹透镜(3)、凸透镜(4)。空心梯型圆台(2)包括圆台上底面(2‑1)、圆台外侧面(2‑2)、圆台下底面(2‑3)和圆台内侧面(2‑4)。808nm快慢轴准直半导体激光阵列模块(1)垂直入射到圆台下底面(2‑3)上,在圆台外侧面(2‑2)和圆台内侧面(2‑4)发生全反射,经过圆台上底面(2‑1)入射到凹透镜(3)和凸透镜(4),输出808nm半导体激光夜视光源。

    一种980nm半导体激光叠阵合束装置

    公开(公告)号:CN214204263U

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN202120209803.3

    申请日:2021-01-26

    IPC分类号: H01S5/40 H01S5/00

    摘要: 本发明公开了一种980nm半导体激光叠阵合束装置,包括第一个980nm半导体激光叠阵模块(1)、第二个980nm半导体激光叠阵模块(2)、第一组准直镜(3)、第二组准直镜(4)、V型棱镜(5)、聚焦镜(6)。V型棱镜(5)包括上底面(5‑1)、第一下底面(5‑2)、第二下底面(5‑3)、第一外侧腰面(5‑4)、第二外侧腰面(5‑5)、第一内侧腰面(5‑6)和第二内侧腰面(5‑7)。980nm半导体激光叠阵模块(1)和(2)分别经过准直镜(3)和(4)通过V型棱镜(5)两次全反射后再通过聚焦镜镜(7),实现980nm半导体激光叠阵合束输出。

    一种830nm半导体激光阵列合束装置

    公开(公告)号:CN214204262U

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN202120207544.0

    申请日:2021-01-26

    IPC分类号: H01S5/40 H01S5/00

    摘要: 本发明公开了一种830nm半导体激光阵列合束装置,包括830nm半导体激光阵列模块(1)、准直镜(2)、空心梯型圆台(3)和聚焦镜(4)。空心梯型圆台(3)包括圆台上底面(3‑1)、圆台外侧面(3‑2)、圆台下底面(3‑3)和圆台内侧面(3‑4)。半导体激光阵列模块(1)通过准直镜(2)垂直入射到空心梯型圆台(3)的圆台下底面(3‑3),在圆台外侧面(3‑2)和圆台内侧面(3‑4)发生全反射,经过圆台上底面(3‑1)入射到聚焦镜(4),实现提高半导体激光阵列输出光功率密度。

    一种提高850nm半导体激光功率密度的装置

    公开(公告)号:CN216121203U

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN202120212006.0

    申请日:2021-01-26

    IPC分类号: H01S5/40 H01S5/00

    摘要: 本发明公开了一种提高850nm半导体激光功率密度的装置,包括850nm半导体激光单管模块(1)、准直镜(2)、光纤(3)、环形固定器(4)、空心梯型圆台(5)和聚焦镜(6)。空心梯型圆台(5)包括圆台上底面(5‑1)、圆台外侧面(5‑2)、圆台下底面(5‑3)和圆台内侧面(5‑4)。850nm半导体激光单管模块(1)通过准直镜(2)耦合进光纤(3),光纤(3)通过环形固定器(4)后,垂直入射到空心梯型圆台(5)的圆台下底面(5‑3),在圆台外侧面(5‑2)和圆台内侧面(5‑4)发生全反射,经过圆台上底面(5‑1)入射到聚焦镜(6),实现提高850nm半导体激光输出光功率密度。