利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明授权
CN112640090B 用于制造CFET器件的方法 有权

用于制造CFET器件的方法
摘要：
本发明涉及一种制造CFET器件的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：形成双绝缘体上半导体基板，其从基部到其表面依次包括：载体基板(1)、第一电绝缘层(2a)、第一单晶半导体层(2b)、第二电绝缘层(3a)和第二单晶半导体层(3b)；从所述基板的表面到第一电绝缘层(2a)形成沟槽，以形成至少一个鳍(F)；在各个鳍(F)中，在第一半导体层(2b)中形成第一晶体管的沟道，并且在第二半导体层(3b)中形成与第一晶体管相反类型的第二晶体管的沟道，形成双绝缘体上半导体类型的基板的步骤包括：转移层的第一步骤和第二步骤以及在一温度下的热处理，所述温度足够高以使第一单晶半导体层平滑化至小于0.1nm RMS的粗糙度。
公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84 .....衬底不是半导体的，例如绝缘体
0/0