一种通过引入稳定的纳米异质结提高p型SnTe基材料热电性能的方法

发明授权

CN112670394B 一种通过引入稳定的纳米异质结提高p型SnTe基材料热电性能的方法有权

摘要：

本发明公开了一种通过引入稳定的纳米异质结提高p型SnTe基材料热电性能的方法，是通过在p型SnTe基材料中引入n型的碳包覆PbTe纳米颗粒，构建为纳米异质结，从而提高p型SnTe基材料的热电性能。本发明的工艺简单、操作方便、可重复性高。

公开/授权文献

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L35/00	包含有一个不同材料结点的热电器件，即显示出具有或不具有其他热电效应或其他热磁效应的Seebeck效应或Peltier效应的热电器件；专门适用于制造或处理这些热电器件或其部件的方法或设备；这些热电器件的零部件（由一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L35/12	.结点引出线材料的选择
H01L35/14	..应用无机合成物的
H01L35/16	...包含有碲或硒或硫的