本发明涉及一种制备CFET器件的方法及CFET器件，包括：第一环绕式栅极结构和第二环绕式栅极结构的形成具体为：假栅去除后，形成界面层和高K介电层；沉积第一阻挡层和I型金属栅功函数层；填充隔离介质；对隔离介质选择性刻蚀，暴露出第一或第二堆栈部区域；将暴露出的堆栈部的I型金属功函数层选择性腐蚀去掉；将剩余的隔离介质去掉；沉积II型金属功函数层；沉积第二阻挡层和导电金属层。本发明提供的CFET的制备方法可以得到上下不同沟道类型区的不同环绕式金属栅层，形成相对应的功函数层，实现CFET器件中不同分层沟道的阈值的分别灵活。