本公开提供了一种紫外发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。所述外延片包括：衬底和顺次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、第一未掺杂AlGaN层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层包括顺次层叠在所述第一未掺杂AlGaN层上的高掺杂N型层和低掺杂N型层，所述低掺杂N型层包括层叠在所述高掺杂N型层上的第一低掺杂层，所述高掺杂N型层和所述第一低掺杂层均包括交替分布的多个AlGaN层和多个SiN层，所述高掺杂N型层中Si掺杂浓度高于所述低掺杂N型层中Si掺杂浓度。本公开能够提高紫外发光二极管的电性。