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公开(公告)号：CN112331745B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011161745.8
申请日：2020-10-27
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管制作领域。在氧气氛围下进行第一次退火，Mg‑H络合物可以与氧气发生反应使Mg‑H键断裂，Mg‑H络合物中的H则可以与氧气反应生成H2O排出，也可以减少残留在p型层内除氮化物本身材料及Mg原子之外的其他杂质元素。升温后在氮气环境下进行第二次退火，减小p型层内Mg‑H络合物的同时进一步提高p型层的晶体质量，Mg原子在p型层内可以自由活动并主要作为受主杂质，有效增加p型层内的空穴浓度，也可以促使p型层内空穴快速流动，最终进入发光层的空穴数量增多，发光二极管外延片内的非辐射数量也会减少部分，最终得到的发光二极管的发光效率也得到提高。
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公开(公告)号：CN112331749B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202011194641.7
申请日：2020-10-30
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种紫外发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。所述外延片包括：衬底和顺次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂AlGaN层、n型层、有源层、电子阻挡层和p型层，所述有源层包括多个量子垒层和多个量子阱层，所述量子垒层和所述量子阱层交替分布，沿所述多个量子垒层的沉积顺序，所述量子垒层中最后一个沉积的量子垒层为p型掺杂量子垒层，所述最后一个沉积的量子垒层与所述电子阻挡层接触。本公开能够提高紫外发光二极管的内量子效率。
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公开(公告)号：CN112289900B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202010970745.6
申请日：2020-09-16
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种紫外发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。将衬底与n型AlGaN层之间的缓冲层设置为包括交替层叠的AlGaN子层与SiN子层。SiN子层则可以抑制AlGaN子层生长时存在的缺陷进一步向上延伸至n型AlGaN层与GaN/AlGaN多量子阱层中。AlGaN子层与SiN子层交替层叠，可释放底层AlGaN子层与SiN子层积累的应力，使得最靠近n型AlGaN层与GaN/AlGaN多量子阱层的AlGaN子层与SiN子层中的应力与缺陷相对较少。使生长在缓冲层上的n型AlGaN层与GaN/AlGaN多量子阱层的质量得到进一步提高，最终得到的发光二极管中的发光效率得到提高。
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公开(公告)号：CN110137801A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910252313.9
申请日：2019-03-29
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，属于半导体技术领域。所述垂直腔面发射激光器包括衬底、散热层、下反射层、发光区、上反射层、上金属电极和下金属电极；所述散热层、所述下反射层、所述发光区、所述上反射层和所述上金属电极依次层叠在所述衬底的第一表面上，所述下金属电极设置在所述衬底的第二表面上，所述衬底的第二表面与所述衬底的第一表面相对；所述下反射层包括依次层叠的多层硼烯薄膜，所述散热层的材料采用石墨烯或者砷化硼。本发明将下反射层从DBR结构改为依次层叠的多层硼烯薄膜，可以有效增强底部的反光效果，下反射层的反射率将远高于上反射层的反射率，VCSEL的出光效率得到极大提高。
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公开(公告)号：CN112687773B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011489457.5
申请日：2020-12-16
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种紫外发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。所述外延片包括：衬底和顺次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、第一未掺杂AlGaN层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层包括顺次层叠在所述第一未掺杂AlGaN层上的高掺杂N型层和低掺杂N型层，所述低掺杂N型层包括层叠在所述高掺杂N型层上的第一低掺杂层，所述高掺杂N型层和所述第一低掺杂层均包括交替分布的多个AlGaN层和多个SiN层，所述高掺杂N型层中Si掺杂浓度高于所述低掺杂N型层中Si掺杂浓度。本公开能够提高紫外发光二极管的电性。
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公开(公告)号：CN110246780A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910334329.4
申请日：2019-04-24
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片的生长方法，属于发光二极管领域。所述方法包括：基于外延片制备设备制备的第一外延片之间的性能差异，分别确定所述外延片制备设备中各个石墨盘的加热温度，单个所述石墨盘用于放置至少一外延片的衬底，在制备所述第一外延片时，各个所述石墨盘的加热温度均为目标温度；在所述外延片制备设备制备第二外延片时，分别调整各个所述石墨盘的实际加热温度为相应的确定的加热温度。
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公开(公告)号：CN112151644B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202010850062.7
申请日：2020-08-21
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种紫外发光二极管外延片制备方法及外延片，属于发光二极管技术领域。在Al2O3衬底的第二表面上依次生长AlN层与Al层形成反射层。在生长反射层之前使用紫外光源对Al2O3衬底的第一表面进行照射时，Al2O3衬底中的Al、O键会被紫外能量破坏，Al2O3衬底的第一表面的表面粗糙度会增加，大部分紫外光的入射角相对第一表面的粗糙度较小时紫外光的入射角变大，相应地紫外光的折射率降低，紫外光的反射率提高。反射层仅包括AlN层与Al层双层结构，结构简单也易于制备，可以在提高紫外发光二极管的发光效率的同时降低紫外发光二极管的制备成本。
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公开(公告)号：CN112289900A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010970745.6
申请日：2020-09-16
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种紫外发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。将衬底与n型AlGaN层之间的缓冲层设置为包括交替层叠的AlGaN子层与SiN子层。SiN子层则可以抑制AlGaN子层生长时存在的缺陷进一步向上延伸至n型AlGaN层与GaN/AlGaN多量子阱层中。AlGaN子层与SiN子层交替层叠，可释放底层AlGaN子层与SiN子层积累的应力，使得最靠近n型AlGaN层与GaN/AlGaN多量子阱层的AlGaN子层与SiN子层中的应力与缺陷相对较少。使生长在缓冲层上的n型AlGaN层与GaN/AlGaN多量子阱层的质量得到进一步提高，最终得到的发光二极管中的发光效率得到提高。
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公开(公告)号：CN109980056B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910152555.0
申请日：2019-02-28
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次生长在衬底上的低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层和P型接触层，应力释放层包括多个交替生长的第一超晶格结构和第二超晶格结构，第一超晶格结构为低温InGaN/GaN超晶格结构，第二超晶格结构为高温InGaN/GaN超晶格结构。本发明提供的发光二极管外延片可以优化V型坑的开口大小，提高LED的内量子发光效率，同时提高外延层的晶体质量。
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公开(公告)号：CN111088483A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911049606.3
申请日：2019-10-31
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C30B25/12
摘要： 本公开公开了一种外延石墨基座，属于外延生长设备领域。平边衬底放置在圆形凹槽内，圆形凹槽的侧壁上有阻挡层，阻挡层包括与圆形凹槽的侧壁相接触连接面，平边衬底的平边区域在圆形凹槽的底面上的投影为线段，连接面在底面上的投影为弧线。弧线两端之间距离大于线段长度，且线段两个端点与弧线两个端点通过两个直线段构成的封闭图形位于阻挡层在底面的投影内时，位于衬底与圆形凹槽的底面之间的阻挡层可以封闭平边衬底的平边区域与侧壁间的间隙，阻止了气流与热度从平边衬底的平边区域与圆形凹槽的侧壁之间的间隙中流失，减小可能出现的平边衬底整体受热不均及外延层在生长时的温度不达标的情况，平边衬底上生长的外延层的质量得到提高。
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