发明公开
- 专利标题: 电子产品用半导体器件的制造方法
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申请号: CN202011426172.7申请日: 2019-02-22
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公开(公告)号: CN112701054A公开(公告)日: 2021-04-23
- 发明人: 马磊 , 党鹏 , 杨光 , 彭小虎 , 王新刚 , 庞朋涛 , 任斌 , 王妙妙
- 申请人: 西安航思半导体有限公司
- 申请人地址: 陕西省西安市鄠邑区吕公路东段西户科技企业孵化器C3号楼
- 专利权人: 西安航思半导体有限公司
- 当前专利权人: 西安航思半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市鄠邑区吕公路东段西户科技企业孵化器C3号楼
- 代理机构: 苏州创元专利商标事务所有限公司
- 代理商 王健
- 主分类号: H01L21/56
- IPC分类号: H01L21/56 ; H01L23/367 ; H01L23/31
摘要:
本发明公开了一种电子产品用半导体器件的制造方法,其半导体器件包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘,所述散热焊盘的中央区开有一供芯片嵌入的沉槽,从而在散热焊盘的边缘区形成一围堰部;包括以下步骤:先将硅微粉和阻燃剂与3‑氨基丙基三乙氧基硅烷混合均匀;再加入环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、焦碳酸二乙酯、聚乙二醇单辛基苯基醚、醋酸丁酸纤维素、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚和脱模剂。该方法制备得到的半导体器件内部气孔的发生率低,且改善半导体器件的散热效果。
公开/授权文献
- CN112701054B 电子产品用DFN半导体器件的制造方法 公开/授权日:2022-07-19
IPC分类: