本发明公开了一种基于半金属C4N3的可饱和吸收体器件，包括光纤端面可饱和吸收体器件、倏逝场式光纤可饱和吸收体器件和反射式可饱和吸收镜，所述的光纤端面可饱和吸收体器件包括光源、光纤跳线和纳米片溶液，光纤跳线的一端与光源连接，另一端侵入纳米片溶液中；倏逝场式光纤可饱和吸收体器件包括光纤，光纤的侧面涂有纳米片溶液；反射式可饱和吸收镜包括反射镜，反射镜的表面涂有纳米片溶液。本发明采用的半金属C4N3是一种新型二维材料，半金属C4N3在纳米能级处具有完全自旋极化，自旋向上电子结构呈现金属性以及自旋向下电子结构呈现半导体性，且与g‑C3N4一样，通过引入各种缺陷以及不同表面终端也可调控半金属C4N3的带隙。