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公开(公告)号：CN112769030B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202110109106.5
申请日：2021-01-27
申请人： 江苏科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于半金属C4N3的可饱和吸收体器件，包括光纤端面可饱和吸收体器件、倏逝场式光纤可饱和吸收体器件和反射式可饱和吸收镜，所述的光纤端面可饱和吸收体器件包括光源、光纤跳线和纳米片溶液，光纤跳线的一端与光源连接，另一端侵入纳米片溶液中；倏逝场式光纤可饱和吸收体器件包括光纤，光纤的侧面涂有纳米片溶液；反射式可饱和吸收镜包括反射镜，反射镜的表面涂有纳米片溶液。本发明采用的半金属C4N3是一种新型二维材料，半金属C4N3在纳米能级处具有完全自旋极化，自旋向上电子结构呈现金属性以及自旋向下电子结构呈现半导体性，且与g‑C3N4一样，通过引入各种缺陷以及不同表面终端也可调控半金属C4N3的带隙。
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公开(公告)号：CN115360570B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202210985638.X
申请日：2022-08-17
申请人： 江苏科技大学
摘要： 本发明公开了一种腔内倍频绿光光学涡旋产生装置，包括放置于环形腔内的空间光路部分，所述的空间光路部分包括倍频装置，所述倍频装置的两侧依次对称设有涡旋波片和光纤准直器，所述倍频装置包括倍频晶体，倍频晶体的输入端设有第二聚焦镜，输出端依次设有二向色镜和第一聚焦镜，通过倍频装置将近红外泵浦光二倍频为绿光光学涡旋。本发明首次提出采用两片正交放置的倍频晶体实现光学涡旋的腔内倍频，一方面，利用谐振腔内泵浦光的高功率密度，降低倍频的阈值，提高倍频效率；另一方面，将正交放置的非线性晶体放置在激光器内，分别实现水平和垂直偏振分量的倍频，以解决非线性晶体光参量转换的线偏振依赖性问题。
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公开(公告)号：CN115360570A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210985638.X
申请日：2022-08-17
申请人： 江苏科技大学
摘要： 本发明公开了一种腔内倍频绿光光学涡旋产生装置，包括放置于环形腔内的空间光路部分，所述的空间光路部分包括倍频装置，所述倍频装置的两侧依次对称设有涡旋波片和光纤准直器，所述倍频装置包括倍频晶体，倍频晶体的输入端设有第二聚焦镜，输出端依次设有二向色镜和第一聚焦镜，通过倍频装置将近红外泵浦光二倍频为绿光光学涡旋。本发明首次提出采用两片正交放置的倍频晶体实现光学涡旋的腔内倍频，一方面，利用谐振腔内泵浦光的高功率密度，降低倍频的阈值，提高倍频效率；另一方面，将正交放置的非线性晶体放置在激光器内，分别实现水平和垂直偏振分量的倍频，以解决非线性晶体光参量转换的线偏振依赖性问题。
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公开(公告)号：CN112769030A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110109106.5
申请日：2021-01-27
申请人： 江苏科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于半金属C4N3的可饱和吸收体器件，包括光纤端面可饱和吸收体器件、倏逝场式光纤可饱和吸收体器件和反射式可饱和吸收镜，所述的光纤端面可饱和吸收体器件包括光源、光纤跳线和纳米片溶液，光纤跳线的一端与光源连接，另一端侵入纳米片溶液中；倏逝场式光纤可饱和吸收体器件包括光纤，光纤的侧面涂有纳米片溶液；反射式可饱和吸收镜包括反射镜，反射镜的表面涂有纳米片溶液。本发明采用的半金属C4N3是一种新型二维材料，半金属C4N3在纳米能级处具有完全自旋极化，自旋向上电子结构呈现金属性以及自旋向下电子结构呈现半导体性，且与g‑C3N4一样，通过引入各种缺陷以及不同表面终端也可调控半金属C4N3的带隙。
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