- 专利标题： 一种尖晶石相高熵热敏电阻材料及其制备方法
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申请号： CN202011570214.4申请日： 2020-12-26
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公开(公告)号： CN112811891B公开(公告)日： 2022-08-02
- 发明人: 高家兴 , 向凤云 , 唐光明 , 魏小明 , 张忠模 , 徐丽艳
- 申请人： 重庆材料研究院有限公司
- 申请人地址： 重庆市北碚区蔡家岗镇嘉德大道8号
- 专利权人： 重庆材料研究院有限公司
- 当前专利权人： 重庆材料研究院有限公司
- 当前专利权人地址： 重庆市北碚区蔡家岗镇嘉德大道8号
- 代理机构： 重庆志合专利事务所
- 代理商 胡荣珲
- 主分类号： H01C7/04
- IPC分类号： H01C7/04 ; H01C7/02 ; C04B35/44 ; C04B35/626
摘要：
本发明涉及一种尖晶石相高熵热敏电阻材料及其制备方法，其中高熵热敏电阻材料的化学式为(Cox1Fex2Mgx3Mnx4Nix5)Al2O4，所述高熵热敏材料为单一尖晶石相结构。本发明所述材料具有高熵陶瓷的迟滞扩散效应，组织结构在高温下具有很高的稳定性，可提高热敏电阻抗老化性能。
公开/授权文献
- CN112811891A 一种尖晶石相高熵热敏电阻材料及其制备方法 公开/授权日：2021-05-18
