本发明提供一种存储阵列、存储器、制备方法及写入方法，一些实施方式涉及包括磁阻式随机存取存储器存储阵列及其制造方法，所述存储阵列包括：多个阵列排布的存储单元和导体层；每个存储单元包括：写入晶体管，其第一端与顶电极接线耦接；MTJ磁隧道结，其靠近参考层的一端与所述写入晶体管的第二端耦接；所述导体层的一侧表面与所有所述MTJ磁隧道结靠近自由层的一端端面耦接,本发明同时将STT和SOT效应应用于磁隧道结翻转，相对于STT‑MRAM，该磁存储器提高了写入速度和器件可靠性，相对于SOT‑MRAM的模型，本发明的磁存储器降低了电路静态功耗，减少了晶体管的数量，提高了器件存储密度。