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公开(公告)号：CN116446045A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310275388.5
申请日：2023-03-16
摘要： 本发明公开了一种单晶薄膜铁电性的调控方法以及具有铁电性的单晶薄膜，该调控方法包括以下步骤：获取单晶薄膜在衬底上的最佳生长条件，所述生长条件包括温度和氧压；在最佳生长条件下，生长出不同厚度的单晶薄膜；根据不同厚度的单晶薄膜与衬底之间的应力大小不同，通过应力调控出薄膜的铁电性。该调控方法不掺杂任何元素，利用衬底对薄膜的应力作用，调控出具有铁电性的单晶薄膜，调控难度低，可满足工业大面积且低成本的生产铁电材料。
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公开(公告)号：CN116288164A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310387999.9
申请日：2023-04-12
摘要： 本发明公开了一种用于纳米团簇束流综合沉积的取样腔，包括设有取样门和连接口的取样腔本体，所述取样腔本体上设置有由取样腔本体外伸入取样腔本体内的传样机构，所述取样腔本体内设置有用于放置样品的两个载样件、用驱动载样将沿靠近或远离取样门方向运动的驱动机构，以及用于驱动两个载样件位置互换的换位机构。本申请提供的一种用于纳米团簇束流综合沉积的取样腔，取样和放样方便，可进行批量化放样和取样，无需每次覆膜完都要打开取样门取样。
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公开(公告)号：CN113612102B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202110872824.8
申请日：2021-07-30
摘要： 本发明的一种自旋太赫兹产生装置，包括发射器外壳、泵浦光入射孔、偏振分束器、四分之一波片、聚焦透镜、自旋太赫兹发射器、探测光出射孔；自旋太赫兹发射器由永磁铁、自旋太赫兹样片、硅透镜组成；自旋太赫兹样片平行泵浦光入射孔固定于聚焦透镜焦点处，由泵浦光入射孔入射的飞秒激光被聚焦透镜汇聚到自旋太赫兹样片上；通过引入偏振分束器、四分之一波片将飞秒激光能量全部作用于自旋太赫兹发射器上，并利用自旋太赫兹发射器反射的飞秒激光对产生的太赫兹进行探测，飞秒激光能量利用率大大提升，产生的太赫兹信号得到增强。
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公开(公告)号：CN112885964B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110120943.8
申请日：2021-01-28
摘要： 本发明的一种多场调控忆阻器及其制备方法，多场调控忆阻器，为三层结构的RRAM，包括顶部电极、介电材料、底部电极、基底；顶部电极与底部电极具有不对称性，以金属作顶部电极，以MXene‑ZnO异质结材料作为介电材料，以氧化铟锡作底部电极，以玻璃片或聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚二甲基硅氧烷作为基底。本发明用MXene‑ZnO为RRAM单元中的存储介质层材料，以旋涂的方式制备MXene‑ZnO层。通过用ZnO纳米颗粒原位修饰MXene纳米片，合成的异质结材料具有良好的绝缘性能、亲水性能和光学性能。本发明可实现基于电场、光场和湿度场调控电导态，同时具有制作工艺简单、大开关比、高存储密度、高稳定性等性能优点，因此具有良好的应用前景，能广泛应用于生活中多个领域。
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公开(公告)号：CN114318265A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111646259.X
申请日：2021-12-29
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明的一种可快速更换靶材的磁控溅射阴极及更换靶材方法，包括靶材安装座及靶材位于烟囱压紧装置和磁箍冷却组件之间，烟囱压紧装置安装在腔体安装法兰上，磁箍冷却组件穿过腔体安装法兰与伸缩驱动机构连接，伸缩驱动机构另一端安装在腔体安装法兰上。更换靶材时，伸缩驱动机构驱动下，磁箍冷却组件下移，利用磁控溅射设备自带的传样系统抓取靶材安装座边上的支耳，从阴极屏蔽罩侧边取出靶材安装座及其中的靶材后送至传样系统的腔室内；再利用传样系统将腔室内的新靶材安装座及靶材送到原磁箍冷却组件正上方，使烟囱压紧装置压住靶材安装座。该发明在不破坏主真空腔真空环境下，实现快速换靶，大幅降低更换靶材的时间，也减少了主真空腔的污染。
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公开(公告)号：CN113612102A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110872824.8
申请日：2021-07-30
摘要： 本发明的一种自旋太赫兹产生装置，包括发射器外壳、泵浦光入射孔、偏振分束器、四分之一波片、聚焦透镜、自旋太赫兹发射器、探测光出射孔；自旋太赫兹发射器由永磁铁、自旋太赫兹样片、硅透镜组成；自旋太赫兹样片平行泵浦光入射孔固定于聚焦透镜焦点处，由泵浦光入射孔入射的飞秒激光被聚焦透镜汇聚到自旋太赫兹样片上；通过引入偏振分束器、四分之一波片将飞秒激光能量全部作用于自旋太赫兹发射器上，并利用自旋太赫兹发射器反射的飞秒激光对产生的太赫兹进行探测，飞秒激光能量利用率大大提升，产生的太赫兹信号得到增强。
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公开(公告)号：CN113488588A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110608381.1
申请日：2021-06-01
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种由自组装异质结材料作为存储介质层构建的忆阻器及其制备方法，该忆阻器的存储介质层由自组装异质结材料制备而成；自组装异质结材料包括钙钛矿量子点和二维纳米材料，其制备方法为：分别配置二维纳米材料分散液和零维量子点材料分散液，将二维纳米材料分散液和零维量子点材料分散液混合后进行超声处理，通过超声诱导零维量子点材料在二维纳米材料上自组装，最后通过旋涂制得。本发明利用自组装异质结材料中非共价键的弱相互作用，对导电细丝的形成或断裂行为进行物理约束，从而实现电压控制的忆阻器，同时异质结结构材料中较长的电流衰减时间，进一步降低了器件的工作能耗，提高了忆阻器的功能性和实用性。
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公开(公告)号：CN113284704A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110536254.5
申请日：2021-05-17
摘要： 本发明公开了一种基于散热结构的自旋太赫兹发射器，包括发射器基底和散热组件，散热组件固定于发射器基底的励磁线圈侧，所述发射器基底包括第一支架、发射样片和快拆组件，快拆组件卡设于第一支架上，发射样片卡设于快拆组件中，第一支架的两侧缠绕设置励磁线圈，散热组件分别设置于励磁线圈的外侧，散热组件与第一支架一体成型；在励磁线圈附近设置散热组件，用于对励磁线圈所产生的焦耳热进行散热，以提高励磁线圈的工作寿命；多个散热片平行设置可以提高散热片的散热均匀性，多个散热片等间距设置，提高对励磁线圈的散热均匀性和稳定性，进而实现了对第一支架的散热作用。
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公开(公告)号：CN113278930A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110449959.3
申请日：2021-04-25
摘要： 本发明公开了一种纳米团簇的束流密度控制装置及其使用方法，包括冷凝腔、差分真空腔和沉积腔，所述冷凝腔内设置有气管、溅射枪和液氮喷管，所述冷凝腔内设置有罗茨泵，所述差分真空腔和沉积腔内均设置有分子泵，所述冷凝腔和差分真空腔之间设置有气动力喷头。本发明通过设置束流密度控制装置，即束流分流通道和用于调节束流分流通道的控制装置，便于对团簇束流的沉积密度进行调节，使得部分团簇束流分离或走额外的通道进行沉积，从而增大沉积间隙，达到控制密度的目的。
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公开(公告)号：CN112993157A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110155752.5
申请日：2021-02-04
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明的一种水平结构的忆阻器及均一性优化方法，包括双端水平电极、介电材料、基底；其中，双端水平电极具有对称性，采用金属作电极，以钙钛矿微米棒材料作为介电材料，以表面有SiO2的硅片、玻璃片、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯这些作为基底。本发明的忆阻器均一性优化方法通过清洗、烘干、UVO亲水化处理、钙钛矿微米棒制备、EBL预制水平结构电极、蒸镀及干法转移钙钛矿微米棒得到最终器件；本发明的优化方法利用晶体表面的金属离子迁移活化能较低，为离子迁移提供了最优选的路径，从而在维度上限域CF的形成，提高了器件的稳定性和均一性。
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