公开了一种半导体器件，包括横向分布在所述半导体器件表面的阱区和漂移区，在阱区和漂移区中分别设置有源端掺杂区和漏端掺杂区，分别形成源端和漏端，栅极结构覆盖在阱区和漂移区之间，场板结构覆盖在漂移区上表面，用于辅助耗尽漂移区，其中，在漂移区上表面的位于场板结构与栅极结构之间的区域中设置有掺杂类型与漂移区的掺杂类型相反的表面掺杂区，该表面掺杂区电引出与场板结构电连接。本发明的半导体器件可使场板结构上表面的电位略低于场板结构下表面的电位，提升了场板结构对漂移区的辅助耗尽效果，提升半导体器件的击穿电压。