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公开(公告)号：CN113037061A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110260755.5
申请日：2021-03-10
申请人： 杰华特微电子(杭州)有限公司
发明人： 黄必亮
IPC分类号： H02M1/088
摘要： 本发明公开了一种电感电流检测电路及应用其的开关电源，电感电流重构单元根据开关节点电压和主开关管的导通状态时间或关断状态时间来获得在导通状态时间段或关断状态时间段的电感电流变化率，从而获得电感在该对应时间段内的电流大小；电流采样单元实时采样主开关管的导通状态时间段或关断状态时间段的电感电流大小，根据电感电流重构单元和电流采样单元可获得一个开关周期内完整的电感电流信号，从而提高电感电流的采样准确度，可扩大开关电源的应用范围。
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公开(公告)号：CN112909093A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110079908.6
申请日：2021-01-21
申请人： 杰华特微电子(杭州)有限公司
发明人： 葛薇薇
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
摘要： 公开了一种半导体器件，包括横向分布在所述半导体器件表面的阱区和漂移区，在阱区和漂移区中分别设置有源端掺杂区和漏端掺杂区，分别形成源端和漏端，栅极结构覆盖在阱区和漂移区之间，场板结构覆盖在漂移区上表面，用于在漂移区上表面形成积累层，其中，在漂移区上表面的位于场板结构与漏端掺杂区之间的区域中设置有掺杂类型与漂移区的掺杂类型相反的表面掺杂区，该表面掺杂区电引出与场板结构电连接。本发明的半导体可使场板结构上表面的电位略高于场板结构下表面的电位，在半导体器件导通状态下，有效地在场板结构下方形成电子积累层，从而降低半导体器件的导通电阻，提升半导体器件性能。
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公开(公告)号：CN112770441A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110001751.5
申请日：2021-01-04
申请人： 杰华特微电子(杭州)有限公司
发明人： 刘国强
摘要： 本发明提出一种去频闪电路及去频闪方法，基于前级功率变换电路和后级功率变换电路，交流输入经整流后得到输入电压，所述前级功率变换电路接受输入电压，输出第一电流；所述后级功率变换电路的输入端和前级功率变换电路的输出端连接，其输出端连接LED负载，输出第二电流；根据前级功率变换电路的输出电压或前级功率变换电路的输出电压与LED负载电压的差值，控制第一电流或者第二电流，以使得前级功率变换电路的输出功率和后级功率变换电路的输出功率相匹配。本发明的前级功率变换电路和后级功率变换电路可以采用现有恒流驱动技术方案，方案齐全。
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公开(公告)号：CN112599599A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011404972.9
申请日：2020-12-03
申请人： 杰华特微电子(杭州)有限公司
发明人： 陈斌
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本公开涉及半导体技术领域，提供了一种横向双扩散晶体管及其制造方法，形成的该横向双扩散晶体管包括：依次形成在衬底上的埋层、第一外延层和第二外延层，并在该第一外延层与第二外延层之间横向间隔设置有多个隔离层；位于该第二外延层中的第一漂移区和位于该第一漂移区两侧的高压阱区，且在该第一漂移区中横向间隔分布有的多个浮空掺杂区；间隔设置在第二外延层上表面的多个沟槽；以及横向间隔分布在该第二外延层上相邻两个沟槽之间的多个体区，每个体区均通过相同掺杂类型的浮空掺杂区与上下位置对应的隔离层相接触，形成具有超结结构的体区。由此可在器件中实现增强体区耗尽和RESURF的作用，以获得更高耐压和更低的导通电阻，提高器件电流能力。
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公开(公告)号：CN112533326A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011608893.X
申请日：2020-12-30
申请人： 杰华特微电子(杭州)有限公司
IPC分类号： H05B45/30
摘要： 本发明提出一种线性LED驱动电路，交流输入经整流电路后得到输入电压，包括：第一调节电路，与LED负载串联组成第一串联电路，所述第一调节电路接收第一参考电压，所述第一参考电压通过所述第一调节电路调节LED负载电流；第二调节电路，与第一电容串联组成第二串联电路，所述第二串联电路与所述第一串联电路并联；第一电容，对LED负载供电；其中，所述第二调节电路接收表征LED负载负端电压的第一控制信号，所述第二调节电路根据所述第一控制信号调节对第一电容的充电电流，以维持母线电压高于LED负载电压。
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公开(公告)号：CN108155227B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201711337674.0
申请日：2017-12-14
申请人： 杰华特微电子(杭州)有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
摘要： 本发明公开了一种横向双扩散晶体管及其制造方法，通过在氧化层上额外淀积的氮化硅层，再利用胶层或者氮化硅层的阻挡，多次各向同性和各向异性刻蚀氮化硅层或者氧化层，最终使漂移区氧化层形成多段不同厚度，使得增强耗尽的靠近源极的区域氧化层较薄，而在限制关断击穿电压的漏极边界氧化层足够厚，同时获得了高的关断击穿电压(off‑BV)和低的导通阻抗(Rdson)。
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公开(公告)号：CN112510004A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011373432.9
申请日：2020-11-30
申请人： 杰华特微电子(杭州)有限公司
发明人： 陈佳
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
摘要： 本发明提出了一种半导体封装结构，该封装结构通过对顶层金属层进行图形化，留出空白区，并且利用该顶层金属层作为停止层，对钝化层表面开槽，使得开槽的深度可以达到顶层金属层的深度，增加PI层的吸附力，且能够吸收部分界面处产生的应力，从而降低了PI层翘曲的风险，增加了半导体器件的品质和使用寿命。同时本发明还提出了上述半导体封装结构的制作方法。
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公开(公告)号：CN112510003A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011373144.3
申请日：2020-11-30
申请人： 杰华特微电子(杭州)有限公司
发明人： 陈佳
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
摘要： 本发明提出了一种半导体封装结构，该封装结构通过对钝化层表面开槽，增加PI层的吸附力，且能够吸收部分界面处产生的应力，从而降低了PI层翘曲的风险，并且通过将开槽制作在虚设金属线上，让虚设金属线能够露出，使得逃逸的金属离子被该虚设金属线捕获，从根本上解决了RDL之间漏电的问题。增加了半导体器件的品质和使用寿命。同时本发明还提出了上述半导体封装结构的制作方法。
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公开(公告)号：CN112383227A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011319057.X
申请日：2020-11-23
申请人： 杰华特微电子(杭州)有限公司
发明人： 许祥勇
摘要： 本发明提出一种反激电路的控制方法及控制电路，所述反激电路包括主功率管、同步整流管和变压器，在主功率管导通期间，根据同步整流管的漏极电压，或者根据同步整流管的漏极电压和反激电路的输出电压，得到第一控制信号；当所述第一控制信号大于第一阈值时，在所述主功率管关断后，所述同步整流管能够正常导通；根据同步整流管上个开关周期的开关状态设置所述第一阈值。本发明在临界负载状态下只能处于一个状态，解决了系统在此临界状态下的噪音和纹波问题。
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公开(公告)号：CN112350581A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011201992.6
申请日：2020-11-02
申请人： 杰华特微电子(杭州)有限公司
发明人： 许祥勇
摘要： 本发明公开了一种用于反激电路的控制方法、控制电路和反激电路，反激电路包括主开关管、同步整流管和变压器，反激电路的原边产生第一脉冲并传输到副边，第一脉冲的宽度，控制同步整流管的关断时刻。本发明优化了系统效率，实现了原副边驱动的互锁，防止原副边共通，提高了系统可靠性。
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